[发明专利]一种封装器件及封装方法

说明书

本发明公开了一种封装器件及封装方法，封装器件包括：封装外壳，采用陶瓷基板作为封装底板，所述陶瓷基板设有贯穿所述陶瓷基板正面和所述陶瓷基板背面的通孔，所述陶瓷基板的通孔内部填充金属，所述通孔内的金属记为金属柱；芯片，安装在所述封装外壳的内部，所述芯片的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板上的金属柱连接；铜导热柱，设在所述陶瓷基板的背面，其中，至少存在预设数量的铜导热柱作为所述封装器件的输入输出引脚与所述金属柱连接。本发明通过在陶瓷基板的背面设置铜导热柱，且设有与金属柱相连的铜导热柱，铜导热柱作为封装器件的输入输出引脚，比传统的表贴型焊盘或焊球的导热率更高，提高了封装器件的散热能力。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种封装器件及封装方法。

背景技术

陶瓷封装是一种常用的射频芯片封装方式。为降低封装热阻，陶瓷封装一般采用QFN(Quad Flat No-leadPackage，方形扁平无引脚封装)表贴方式安装到PCB母版上。陶瓷封装和PCB安装母版之间存在较大的热失配，在安装时需要考虑器件的散热情况。

现有的散热方法主要分两种，对于较小尺寸的表贴型陶瓷封装，为防止热应力导致封装开裂，控制封装尺寸小于10*10mm。对于较大尺寸的表贴型陶瓷封装，一般采用在陶瓷封装底面高温焊接金属缓冲垫片或者通过植焊球、焊柱来缓冲热应力。但是，现有的焊球、焊柱等方法仍无法满足大功率器件封装的散热需求，导致使用时大功率器件散热差，影响正常使用。

发明内容

本发明实施例提供了一种封装器件及封装方法，旨在解决目前封装器件的散热能力差的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种封装器件，包括：

封装外壳，采用陶瓷基板作为封装底板，所述陶瓷基板设有贯穿所述陶瓷基板正面和所述陶瓷基板背面的通孔，所述陶瓷基板的通孔内部填充金属，所述通孔内的金属记为金属柱；

芯片，安装在所述封装外壳的内部，所述芯片的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板上的金属柱连接；

铜导热柱，设在所述陶瓷基板的背面，其中，至少存在预设数量的铜导热柱作为所述封装器件的输入输出引脚与所述金属柱连接。

在本申请的实施例中，所述封装外壳包括：

金属围框，设置在所述陶瓷基板的正面；

盖板，焊接在所述金属围框的上表面；所述陶瓷基板、所述金属围框和所述盖板形成容纳所述芯片的气密封装外壳。

在本申请的实施例中，所述封装器件还包括：

阻焊层，设置在所述陶瓷基板的背面、且位于所述铜导热柱的区域以外的其它区域。

在本申请的实施例中，所述封装器件还包括：

正面种子层，位于所述陶瓷基板的正面和所述陶瓷基板的通孔的内侧壁；其中，所述正面种子层的上表面的第一区域用于制备所述金属围框，所述正面种子层的上表面的第二区域用于设置芯片；

相应的，制备了正面种子层的陶瓷基板的通孔内部填充有金属；

背面种子层，位于所述陶瓷基板的背面；

相应的，铜导热柱设在所述背面种子层的背面。

在本申请的实施例中，所述封装器件还包括：

正面导体层，设置在所述正面种子层上，其中，所述正面导体层的上表面的第一区域用于制备所述金属围框，所述正面导体层的上表面的第二区域用于设置芯片，所述正面导体层的第三区域用于加厚金属柱；

背面导体层，设置在所述背面种子层的背面；

相应的，铜导热柱设在所述背面导体层的背面。