[发明专利]一种基于拓扑绝缘体的偏振可调谐太赫兹波发射装置有效
申请号: | 201911156284.2 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN110867717B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 吴晓君;聂天晓;赵海慧;陈薪厚;王航天 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H01S1/02 | 分类号: | H01S1/02 |
代理公司: | 北京航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11668 | 代理人: | 陈磊;张桢 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 拓扑 绝缘体 偏振 调谐 赫兹 发射 装置 | ||
1.一种基于拓扑绝缘体的偏振可调谐太赫兹波发射装置,其特征在于,包括飞秒激光光源、波片以及拓扑绝缘体,所述飞秒激光光源用于发射飞秒激光,飞秒激光依次透射所述波片和所述拓扑绝缘体,产生太赫兹波,所述波片的角度α和所述拓扑绝缘体的方位角能够改变,实现太赫兹波的线偏振态、椭圆偏振态或圆偏振态可调;
所述拓扑绝缘体包括使用分子束外延技术生长在Al2O3衬底的Bi2Te3薄膜;使用分子束外延技术在Al2O3衬底生长Bi2Te3薄膜包括两步沉积过程:首先,在160℃下,在Al2O3衬底沉积1~2nmBi2Te3薄膜;之后,在30分钟内将Al2O3衬底的温度缓慢升高到230℃,在已沉积的Bi2Te3薄膜上继续沉积Bi2Te3薄膜,Bi2Te3薄膜的总厚度约为9~10nm;
所述波片为四分之一波片时,当所述波片的角度0°α45°以及45°α90°时,飞秒激光透射所述波片得到左旋椭圆偏振激光;当所述波片的角度α=45°时,飞秒激光透射所述波片得到左旋圆偏振激光;当所述波片的角度90°α<135°以及135°α180°时,飞秒激光透射所述波片得到右旋椭圆偏振激光;当所述波片的角度α=135°时,飞秒激光透射所述波片得到右旋圆偏振激光;
所述波片为二分之一波片时,飞秒激光透射所述波片得到线偏振激光,所得到的线偏振激光透射所述拓扑绝缘体,得到线偏振态太赫兹波,当所述拓扑绝缘体的方位角改变时,得到的线偏振态太赫兹波的偏振方向转动
2.根据权利要求1所述的偏振可调谐太赫兹波发射装置,其特征在于,还包括太赫兹偏振片、太赫兹能量探测器和电光采样器,实现对产生的任意偏振态太赫兹波进行偏振探测和检偏。
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