[发明专利]半导体器件和半导体器件系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

电压检测电路，被配置为当第一端子和第二端子之间的电压达到预定电压时输出检测信号；

第一放大器电路，被配置为放大所述检测信号并输出驱动信号；

第二放大器电路，被配置为反馈放大所述检测信号；以及

放电元件，耦合在所述第一端子和所述第二端子之间，并具有取决于所述驱动信号的放电能力。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二放大器电路比所述第一放大器电路更晚地启动操作。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一放大器电路包括有瞬态检测电路。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述瞬态检测电路包括串联耦合在所述第一端子和所述第二端子之间的电阻器和电容器。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电压检测电路包括：整流元件串，所述整流元件串具有串联耦合的多个整流元件；以及电阻器，所述电阻器与所述整流元件串串联耦合在所述第一端子与所述第二端子之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述整流元件是二极管元件或二极管连接的MOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一端子是高电势侧端子，

其中所述第二端子是低电势侧端子，

其中，所述放电元件是第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极耦合到所述第一端子，并且漏极耦合到所述第二端子，

其中，所述第一放大器电路包括：

第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的源极耦合到所述第一端子，并且栅极被提供有所述检测信号，

第一电阻器，所述第一电阻器的一端耦合到所述第二PMOS晶体管的漏极，并且另一端耦合到所述第二端子，以及

第一输出电路，所述第一输出电路耦合到所述第二PMOS晶体管和所述第一电阻器的连接节点，并被配置为将所述驱动信号输出到所述第一PMOS晶体管的栅极。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中所述第二放大器电路包括：

第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管的源极耦合到所述第一端子，并且栅极被提供有所述检测信号；

第二电阻器，所述第二电阻器的一端耦合到所述第三PMOS晶体管的漏极，并且另一端耦合到所述第二端子；

第二输出电路，所述第二输出电路耦合到所述第三PMOS晶体管和所述第二电阻器的连接节点；以及

第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管的栅极被提供有所述第二输出电路的输出信号，所述第四PMOS晶体管的源极直接地或通过所述电压检测电路的所述多个整流元件中的至少一个整流元件耦合到所述第三PMOS晶体管的栅极，所述第四PMOS晶体管的漏极直接地或通过所述多个整流元件中的至少一个整流元件耦合到所述第二端子。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一端子是高电势侧端子，

其中，所述第二端子是低电势侧端子，

其中，所述放电元件包括第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的源极耦合到所述第二端子，并且漏极耦合到所述第一端子，

其中，所述第一放大器电路包括：

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的源极耦合到所述第二端子，并且栅极被提供有所述检测信号，

第一电阻器，所述第一电阻器的一端耦合到所述第二NMOS晶体管的漏极，并且另一端耦合到所述第一端子，以及

第一输出电路，所述第一输出电路耦合到所述第二NMOS晶体管和所述第一电阻器的连接节点，并且被配置为将所述驱动信号输出到所述第一NMOS晶体管的栅极。