[发明专利]热活化延迟荧光材料及使用其所制备的有机发光二极管

说明书

本发明公开一种热活化延迟荧光材料，其包括如式(I)所示的结构，并具有低单三线态能级差、高反向系间窜越常数及高光致发光量子产率。再者，本发明公开一种有机发光二极管，包括阳极、阴极以及位于阳极与阴极之间的发光层及有机功能层，所述发光层及所述有机功能层中之一或二者包括具有式(I)结构的热活化延迟荧光材料。

技术领域

本发明是有关于一种有机发光材料技术领域，特别是有关于一种热活化延迟荧光材料以及使用所述热活化延迟荧光材料所制备的有机发光二极管。

背景技术

有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)在固态照明及平板显示等领域具有广阔的应用前景，而发光客体材料是影响有机发光二极管的发光效率的主要因素。在早期，有机发光二极管使用的发光客体材料为荧光材料，其在有机发光二极管中的单重态和三重态的激子比例为1:3，因此在理论上有机发光二极管的内量子效率(internalquantum efficiency,IQE)只能达到25％，使荧光电致发光器件的应用受到限制。再者，重金属配合物磷光发光材料由于重原子的自旋轨道耦合作用，而能够同时利用单重态和三重态激子，进而达到100％的内量子效率。然而，通常重金属配合物磷光发光材料所使用的重金属都是铱(Ir)或铂(Pt)等贵重金属，并且重金属配合物磷光发光材料在蓝光材料方面尚有待改良。纯有机热活化延迟荧光材料(thermally activated delayed fluorescence，TADF)具有低单三重态的能级差(single-triplet energy gap，ΔE_ST)，使得三重态激子可以通过反向系间窜越(reverse intersystem crossing，RISC)回到单重态，再通过辐射跃迁至基态而发光，从而能够同时利用单重态激子及三重态激子，在理论上亦可以实现100％的内量子效率。

对于热活化延迟荧光材料，低单三线态能级差、高反向系间窜越常数(k_RISC)及高光致发光量子产率(photoluminescence quantum yield，PLQY)是制备高效率有机发光二极管的必要条件。然而，目前具备上述条件的热活化延迟荧光材料相对于重金属配合物而言还是比较缺乏的。因此，有必要提供一种新颖的热活化延迟荧光材料，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种热活化延迟荧光材料，其具有如式(I)所示的结构:

其中R选自或其任意组合。

本发明另一实施例提供一种有机发光二极管，其包括：一阳极；一阴极；以及位于所述阳极与所述阴极之间的一发光层，所述发光层包括前述的热活化延迟荧光材料。

在本发明的一实施例中，所述热活化延迟荧光材料为下列化合物1：

在本发明的一实施例中，所述化合物1是通过下述合成路线合成出：

在本发明的一实施例中，所述热活化延迟荧光材料为下列化合物2：

在本发明的一实施例中，所述化合物2是通过下述合成路线合成出：

在本发明的一实施例中，所述热活化延迟荧光材料为下列化合物3：

在本发明的一实施例中，所述化合物3是通过下述合成路线合成出：

相较于先前技术，本发明实施例的高热活化延迟荧光材料具有较低的单三线态能级差、高反向系间窜越常数及高光致发光量子产率，进而有利于实现具有高发光效率的有机发光二极管。