[发明专利]一种使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法

说明书

本发明涉及一种使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，S1：在SiC外延片上完成SiC芯片的制备，SiC芯片的背面金属层为复合金属层，芯片正面各个管芯之间存在划片道；S2：将SiC芯片贴到划片膜上，芯片正面与划片膜紧密接触,划片膜绷紧置于划片框上；S3:测量SiC芯片和划片膜的总厚度；S4:在SiC芯片与正面划片道位置对应的背面金属层上，制作一个贯穿整个表面金属层的缺口，使得复合金属层整齐断开；S5:对芯片进行激光划片和裂片，将芯片分开。本发明利用砂轮刀片、激光烧蚀、金属腐蚀液的方法预先去除SiC芯片正面划片道对应的背面金属层，使利用激光划片后的SiC芯片可以整齐分离，背面金属不会发生撕扯，降低SiC芯片的损伤，避免因金属撕扯导致性能损失。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，特别是涉及一种使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法。

背景技术

SiC是一种具有出色的物理、化学和电性能特性的第三代新型宽禁带半导体材料，在功率半导体器件领域，特别是大功率、高电压条件下，具有很好的应用前景。SiC肖特基势垒二极管(SBD)和SiC MOSFET都已经成功商业化。

由于SiC硬度很高，传统应用在硅器件领域的砂轮刀片划片直接应用到SiC芯片的划片上后会有很多缺陷，如划片效率低、划片质量差等。许多新的SiC划片技术不断涌现，其中激光划片(脉冲激光在SiC内部形成一系列的爆破点，再通过裂片将芯片裂开)展现出了很大的优势，其划片效率和划片质量都远远高于砂轮划片，得到了较广泛的利用。但是激光划片也有其不利的一面，主要表现在经过激光划片后的芯片背面金属边缘会出现不规则的撕裂，严重影响封装，甚至影响芯片的质量。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，通过预先去除SiC芯片正面划片道对应的背面金属，使利用激光划片后的SiC芯片可以整齐裂开。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，包括以下的步骤：

S1：在SiC外延片上完成SiC芯片的制备，SiC芯片的背面金属层为复合金属层，芯片正面各个管芯之间存在划片道；

S2：将SiC芯片贴到划片膜上，芯片正面与划片膜紧密接触,划片膜绷紧置于划片框上；

S3:测量SiC芯片和划片膜的总厚度；

S4:在SiC芯片与正面划片道位置对应的背面金属层上，制作一个贯穿整个复合金属层的缺口，使得复合金属层整齐断开；

S5:对芯片进行激光划片和裂片，将芯片分开。

本技术方案中，优选地，一种使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法，包括以下的步骤：

S1：在SiC外延片上完成SiC芯片的制备，SiC芯片的背面金属层为复合金属层，芯片正面各个管芯之间存在划片道；

S2：将SiC芯片贴到划片膜上，芯片正面与划片膜紧密接触,划片膜绷紧置于划片框上；

S3:测量SiC芯片和划片膜的总厚度；

S4:用砂轮刀片沿芯片正面划片道对应位置的背面金属层划过，将背面金属层切开，形成切口；

S5:对芯片进行激光划片和裂片，将芯片分开。

优选地，切口为“V”形，切口的深度不小于SiC芯片背面金属层的厚度，切口的宽度小于正面划片道的宽度。

优选地，步骤S2中，SiC芯片背面金属层的厚度为1～5μm，正面划片道的宽度为10～150μm，切口的宽度为1～5μm，切口的深度为5～10μm。