[发明专利]一种芯片封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

待封装芯片，具有多个焊盘；

硅基介质层，设置于所述待封装芯片的器件面上；所述硅基介质层内开设有与所述焊盘相对应的第一凹槽，所述焊盘通过所述第一凹槽显露于所述硅基介质层外；

与所述焊盘一一对应的延伸焊盘，所述延伸焊盘填充所述第一凹槽并延伸至所述硅基介质层外，所述延伸焊盘与所述焊盘相耦合；所述延伸焊盘远离所述第一凹槽的槽底的端部的横截面积大于或小于所述第一凹槽的槽底面积。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述延伸焊盘的纵向截面为梯形，且所述延伸焊盘远离所述第一凹槽的槽底的端部的横截面积大于所述第一凹槽的槽底面积。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述延伸焊盘的纵向截面为凸形，所述延伸焊盘的横截面积自所述延伸焊盘开始延伸至所述硅基介质层外的位置处减小。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：

填充介质层，设置于所述硅基介质层上，用以填充所述延伸焊盘之间的间隙。

5.根据权利要求1-4任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述延伸焊盘通过导电粘附与金属种子层与所述对应的焊盘相耦合。

6.一种芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供待封装芯片；所述待封装芯片具有多个焊盘；

在所述待封装芯片的器件面上设置硅基介质层；

在所述硅基介质层内开设与所述焊盘相对应的第一凹槽，用以显露出所述焊盘；

在所述第一凹槽内填充延伸焊盘，并使得所述延伸焊盘延伸至所述硅基介质层外；所述延伸焊盘与所述焊盘相耦合；所述延伸焊盘远离所述第一凹槽的端部的横截面积大于或小于所述第一凹槽的槽底面积。

7.根据权利要求6所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述硅基介质层内开设与所述焊盘相对应的第一凹槽，用以显露出所述焊盘的步骤，包括：

在所述硅基介质层上形成第一延伸介质层；

在所述硅基介质层和所述第一延伸介质层内形成纵向截面为梯形的凹槽；所述凹槽处于所述硅基介质层中的部分为所述第一凹槽；所述延伸焊盘设置于所述凹槽内。

8.根据权利要求7所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽内填充延伸焊盘，并使得所述延伸焊盘延伸至所述硅基介质层外的步骤，包括：

去除所述第一延伸介质层；

在所述硅基介质层以及所述焊盘上形成导电粘附与金属种子层；

在所述导电粘附与金属种子层上形成第二延伸介质层；

在所述第二延伸介质层中形成与所述第一凹槽相对应的纵向截面为梯形的第二凹槽，用以显露所述第一凹槽侧壁和底部的导电粘附与金属种子层；

在所述第一凹槽内的导电粘附与金属种子层上以及所述第二凹槽层内形成填充所述第一凹槽和所述第二凹槽的所述延伸焊盘；

去除所述第二延伸介质层以及所述第二延伸介质层被去除后显露的导电粘附与金属种子层。

9.根据权利要求6所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽内填充延伸焊盘，并使得所述延伸焊盘延伸至所述硅基介质层外的步骤，包括：

在所述第一凹槽内设置第一延伸焊盘部；

在所述硅基介质层以及所述第一延伸焊盘部上设置第三延伸介质层；

在所述第三延伸介质层内形成与所述第一延伸焊盘部相对应的第三凹槽；所述第三凹槽的槽底面积小于所述第一凹槽的槽底面积；

在所述第三凹槽内设置第二延伸焊盘部；所述第二延伸焊盘部与所述第一延伸焊盘部相耦合；

去除所述第三延伸介质层。

10.根据权利要求6-9任一项所述的芯片封装方法，其特征在于，还包括：

在所述硅基介质层上制备延伸介质层，用以填充所述延伸焊盘之间的间隙。