[发明专利]一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构

权利要求书

1.一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构，其特征在于：所述SWG波导包括硅波导核心层、SiO2衬底及SiO2上覆层，所述耦合结构包括第一结构和第二结构，所述第一结构为绝热锥形结构；

所述第一结构与固体波导耦合，所述第二结构利用CMOS工艺多层刻蚀技术，引入厚度维度结构变化，实现第二结构到SWG波导耦合时平滑的填充因子转换；

所述SWG波导的填充因子为50％，周期为400nm。

2.根据权利要求1所述的一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构，其特征在于：所述硅波导核心层的厚度为220nm，SiO2衬底的厚度为3μm，SiO2上覆层的厚度为2μm。

3.根据权利要求1所述的一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构，其特征在于：所述SWG波导的适用于波长为1.55μm的光。

4.根据权利要求1所述的一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构，其特征在于：所述SWG波导的宽度小于350nm。

5.根据权利要求4所述的一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构，其特征在于：所述SWG波导的宽度为300nm。

6.根据权利要求1所述的一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构，其特征在于：所述绝热锥形结构的长度为5μm，填充因子为100％，宽度为450-300nm。

7.根据权利要求1所述的一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构，其特征在于：所述第二结构的填充因子为100％-50％，宽度为300nm，周期为400nm。