[发明专利]一种用于钙钛矿气相生长的中间相及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201911157527.4 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111081880B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 库治良;彭勇;黄福志;程一兵 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 赵泽夏 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 钙钛矿气 相生 中间 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种用于钙钛矿气相生长的中间相，其特征在于，所述用于钙钛矿气相生长的中间相为B类气氛与无机组分薄膜生成；所述B类气氛为C4H9NH3I与CH(NH2)2Cl的复合气氛；
所述无机组分薄膜中的无机组分薄膜为PbI2薄膜；所述用于钙钛矿气相生长的中间相包括B类气氛与无机组分薄膜生成非目标钙钛矿相或钙钛矿络合相，所述中间相为FAPbClxI3-x与FA2PbCl4钙钛矿中间相。
2.一种如权利要求1所述的用于钙钛矿气相生长的中间相的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
步骤1、在基底上沉积无机组分形成无机组分薄膜；
步骤2、将步骤1所沉积的无机组分薄膜与B类气氛反应生成该用于钙钛矿气相生长的中间相。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中所述无机组分薄膜沉积方法为蒸镀、溅射、刮涂、喷墨打印、超声喷雾中的一种或多种。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2的反应温度为100～200℃；压强范围为0.01Pa～0.1MPa；反应时间为20～60min。
5.一种有机-无机杂化钙钛矿半导体薄膜的制备方法，其特征在于所述制备方法包括：
将权利要求1所述的用于钙钛矿气相生长的中间相通入A类气氛生成得到；
或者将无机组分薄膜同时通入B类气氛与A类气氛反应生成得到；
所述A类气氛为CH3NH3I、CH3NH3Br、CH(NH2)2I、CH(NH2)2Br中的至少一种。
6.如权利要求5所述有机-无机杂化钙钛矿半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述A类气氛与所述B类气氛的体积比为1：1～20。
7.权利要求1所述的用于钙钛矿气相生长的中间相在制备有机-无
机杂化钙钛矿半导体薄膜上的用途。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
