[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911157760.2 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN112420643A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，包括：
第一半导体管芯，包括：
第一半导体衬底；
第一内连线结构，设置在所述第一半导体衬底下方；以及
第一接合导体，设置在所述第一内连线结构下方且通过所述第一内连线结构电耦合到所述第一半导体衬底；以及
第二半导体管芯，接合到所述第一半导体管芯且包括：
第二半导体衬底和设置在所述第二半导体衬底下方且电耦合到所述第二半导体衬底的第二内连线结构；以及
半导体穿孔，穿透所述第二半导体衬底且延伸到所述第二内连线结构中以电耦合到所述第二内连线结构，其中所述第一半导体管芯的所述第一接合导体从所述第一半导体管芯的所述第一内连线结构朝向所述第二半导体管芯的所述半导体穿孔延伸以将所述第一半导体管芯电连接到所述第二半导体管芯，对应于所述第二半导体管芯的所述半导体穿孔的所述第一半导体管芯的所述第一接合导体小于所述半导体穿孔。
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