[发明专利]一种高矫顽力含铈磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，包括：

步骤一：按照含Ce主合金的成分调配所述含Ce主合金的原材料，所述含Ce主合金的成分为(Pr,Nd)_aR1_bCe_cM1_dFe_{100-a-b-c-d-e}B_e，其中R1为Gd、Ho中的一种或几种，Ce表示铈元素，Pr表示镨元素，Nd表示钕元素，M1表示Al、Co、Cu、Zr、Nb之中的一种或几种，B表示硼元素；a、b、c、d、e是对应元素的质量百分比，18≤a＜34，0≤b≤5，0＜c≤12，0＜d≤4，0.5＜e≤1.5，30≤a+b+c≤34，60≤100-a-b-c-d-e≤70；其中(Pr,Nd)_a表示Pr和Nd的质量百分比之和为a；

步骤二：按照晶界优化辅合金的成分调配所述晶界优化辅合金的原材料，所述晶界优化辅合金的成分为R2_fM2_g，其中R2为Pr、Nd、Ho、Tb、Dy中的一种或多种，M2为Al、Fe、Co、Cu中的一种或多种；35≤f≤75，25≤g≤65，f+g＝100；f、g是对应元素的质量百分比；

步骤三：将所述含Ce主合金的原材料、所述晶界优化辅合金的原材料分别进行真空熔炼和速凝甩带处理，得到含Ce主合金速凝薄片和晶界优化辅合金速凝薄片；

步骤四：将所述含Ce主合金速凝薄片和所述晶界优化辅合金速凝薄片按1:x的重量比混合，得到混合合金速凝薄片，之后进行氢破处理和气流磨处理，得到混合粉末，向所述混合粉末中加入润滑剂，进行混合，得到混合料；所述氢破处理的过程为：在氢气压力下使所述混合合金速凝薄片进行吸氢，之后进行脱氢处理；所述氢气压力为0.1Mpa～0.3Mpa，所述吸氢的时间为2h～5h；所述脱氢的温度为400℃～600℃，时间为3h～6h；所述气流磨的研磨压力为0.4MPa～0.7MPa，所述气流磨的系统氧含量为20ppm～300ppm；

步骤五：在保护气氛下，对所述混合料进行磁场取向压型，并进行真空封装，随后进行冷等静压，得到生坯；

步骤六：将所述生坯在保护气氛下拆除真空封装，之后进行烧结，随后进行回火热处理，得到所述高矫顽力含铈磁体，所述回火热处理的温度为400℃～700℃。

2.根据权利要求1所述的高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述含Ce主合金速凝薄片和晶界优化辅合金速凝薄片的厚度均为0.1mm～0.4mm。

3.根据权利要求1所述的高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，在所述步骤四中，0.01≤x＜0.2。

4.根据权利要求1所述的高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述氢气压力为0.25Mpa～0.3Mpa。

5.根据权利要求1所述的高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，所述脱氢的时间为4h～6h。

6.根据权利要求1所述的高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述混合粉末的粒度为1～6μm。

7.根据权利要求6所述的高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述混合粉末的粒度为2.1μm～3.5μm。

8.根据权利要求1所述的高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述混合的时间为0.1h～5h。

9.根据权利要求1所述的高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，在所述步骤五中，所述取向压型在氧含量小于50ppm的条件下进行。

10.根据权利要求1所述的高矫顽力含铈磁体的制备方法，其特征在于，在所述步骤五中，所述磁场强度为1.0T-3.0T。