[发明专利]一种预充电电路、逆变器以及发电系统

权利要求书

1.一种预充电电路，其特征在于，包括：第一开关、第二开关、二极管、第一限流装置、电容以及逆变单元，所述预充电电路的一端连接电网，其中，

所述第一限流装置、所述第一开关与所述二极管串联之后，一端连接所述电容的一端，另一端连接所述电网的第一相交流电，所述电容的另一端依次通过所述逆变单元和所述第二开关连接至所述电网的第二相交流电；

所述第一开关和所述第二开关闭合后，所述电网输出的电流经过所述第一限流装置、所述第一开关、所述二极管、所述电容、所述逆变单元以及所述第二开关形成的闭合回路为所述电容充电。

2.根据权利要求 1 所述的预充电电路，其特征在于，还包括第三开关，

所述第一限流装置、第一开关与所述二极管串联之后，另一端通过所述第三开关连接所述电网的所述第一相交流电；

所述第一开关、所述第二开关以及所述第三开关闭合后，所述电网输出的电流经过所述第三开关、所述第一限流装置、所述第一开关、所述二极管、所述电容、所述逆变单元以及所述第二开关形成的闭合回路为所述电容充电。

3.根据权利要求 2 所述的预充电电路，其特征在于，还包括第四开关，所述第四开关与所述第二开关串联，所述电容的另一端依次通过所述逆变单元、所述第二开关以及所述第四开关连接至所述电网的第二相交流电；

所述第一开关、所述第三开关、所述第二开关以及所述第四开关闭合后，所述电网输出的电流经过所第三开关、所述第一限流装置、所述第一开关、所述二极管、所述电容、所述逆变单元、所述第二开关以及所述第四开关形成的闭合回路为所述电容充电。

4.根据权利要求 3 所述的预充电电路，其特征在于，还包括第五开关以及第二限流装置，

所述第五开关和所述第二限流装置串联后，与所述第二开关并联，所述第五开关和所述第二限流装置串联后，一端连接所述逆变单元，另一端连接所述电网的第二相交流电；

所述第一开关、所述第三开关、所述第五开关以及所述第四开关闭合后，所述电网输出的电流经过所述第三开关、所述第一限流装置、所述第一开关、所述二极管、所述电容、所述逆变单元、所述第五开关以及所述第四开关形成的闭合回路为所述电容充电。

5.根据权利要求 3 所述的预充电电路，其特征在于，还包括第五开关以及第二限流装置，所述第五开关和所述第二限流装置串联后，与所述第四开关并联，所述第五开关和所述第二限流装置串联后，一端连接所述逆变单元，另一端连接所述电网的第二相交流电；

所述第一开关、所述第三开关、所述第五开关以及所述第二开关闭合后，所述电网输出的电流经过所述第三开关、所述第一限流装置、所述第一开关、所述二极管、所述电容、所述逆变单元、所述第二开关以及所述第五开关形成的闭合回路为所述电容充电。

6.根据权利要求 1 至 5 任一项所述的预充电电路，其特征在于，所述限流装置为电阻和电感中的一种或任意几种的组合。

7.根据权利要求 1 至 5 任一项所述的预充电电路，其特征在于，所述第一开关、第二开关为继电器、金属氧化物半导体场效应管 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 IGBT。

8.根据权利要求 2 至 5 任一项所述的预充电电路，其特征在于，所述第三开关为继电器、金属氧化物半导体场效应管MOSFET或绝缘栅双极型晶体管IGBT。

9.根据权利要求 3 至 5 任一项所述的预充电电路，其特征在于，所述第四开关为继电器、金属氧化物半导体场效应管 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 IGBT。

10.根据权利要求4或5 所述的预充电电路，其特征在于，所述第五开关为继电器、金属氧化物半导体场效应管 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 IGBT。