[发明专利]一种阻变存储器预处理方法及装置

权利要求书

1.一种阻变存储器预处理方法，其特征在于，所述方法包括：

将阻变存储器的温度调整为第一处理温度；

在所述第一处理温度下对所述阻变存储器施加处理电压，所述处理电压用于将所述阻变存储器的电阻从第一电阻转变为第二电阻。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

根据所述阻变存储器的阻变层的厚度和材料特性确定所述第一处理温度和所述处理电压。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一处理温度和所述处理电压满足：

其中，V是所述处理电压；t为所述处理电压的施加时间；H为所述阻变层的厚度；T为所述第一处理温度，k玻尔兹曼常数，e为自然常数；D是离子在所述阻变层中的扩散系数；Ea是离子在所述阻变层中的跃迁激活能，q为所述阻变层中离子的电荷量，所述D和所述Ea为所述阻变存储器的阻变层的材料特性。

4.如权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定所述阻变存储器的电阻未达到所述第二电阻；

调整所述第一处理温度为第二处理温度，其中所述第二处理温度高于所述第一处理温度；

在所述第二处理温度下对所述阻变存储器施加所述处理电压。

5.如权利要求1～4任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述阻变存储器的阻变层的厚度和材料特性确定所述第一处理温度和所述处理电压之后，还包括：

根据所述第一电阻与所述阻变存储器的标准电阻的关系，更新所述第一处理温度，所述阻变存储器的标准电阻是根据所述阻变存储器的阻变层的电阻率、长度以及横截面积确定的；或

根据所述阻变存储器的第一电阻与所述阻变存储器的标准电阻的关系，更新所述处理电压。

6.如权利要求1～4任一所述的方法，其特征在于，所述第一处理温度大于25度，小于150度。

7.一种预处理装置，其特征在于，所述装置包括温控模块、电压控制模块：

所述温控模块，用于将阻变存储器的温度调整为第一处理温度；

所述电压控制模块，用于在所述第一处理温度下对所述阻变存储器施加处理电压，所述处理电压用于将所述阻变存储器的电阻从第一电阻转变为第二电阻。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括处理模块：

所述处理模块，用于根据所述阻变存储器的阻变层的厚度和材料特性确定所述第一处理温度和所述处理电压。

9.如权利要求7或8所述的装置，其特征在于，所述第一处理温度和所述处理电压满足：

其中，V是所述处理电压；t为所述处理电压的施加时间；H为所述阻变层的厚度；T为所述第一处理温度，k玻尔兹曼常数，e为自然常数；D是离子在所述阻变层中的扩散系数；Ea是离子在所述阻变层中的跃迁激活能，q为所述阻变层中离子的电荷量，所述D和所述Ea为所述阻变存储器的阻变层的材料特性。

10.如权利要求7～9任一所述的装置，其特征在于，所述处理模块，还用于确定所述阻变存储器的电阻未达到所述第二电阻；

所述温控模块，用于调整所述第一处理温度为第二处理温度，其中所述第二处理温度高于所述第一处理温度；

所述电压控制模块，用于在所述第二处理温度下对所述阻变存储器施加所述处理电压。

11.如权利要求7～10任一所述的装置，其特征在于，所述处理模块，还用于：

根据所述第一电阻与所述阻变存储器的标准电阻的关系，更新所述第一处理温度，将更新后的所述第一处理温度作为所述第一处理温度，所述阻变存储器的标准电阻是根据所述阻变存储器的阻变层的电阻率、长度以及横截面积确定的；或

根据所述阻变存储器的第一电阻与所述阻变存储器的标准电阻的关系，更新所述处理电压，将更新后的所述处理电压作为所述处理电压。

12.如权利要求7～10任一所述的装置，其特征在于，所述第一处理温度大于25度，小于150度。