[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层包括多层周期交替生长的量子阱层和量子垒层，其特征在于，

每层所述量子阱层均包括第一子层和生长在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层为InGaN层，所述第二子层为掺Si的InN层；

所述多量子阱层包括第一类量子阱层和第二类量子阱层，所述第二类量子阱层为所述多量子阱层中靠近所述P型层的n层量子阱层，所述第一类量子阱层为除所述n层量子阱层之外的其它量子阱层，所述第一类量子阱层中的所述第二子层中的Si的掺杂浓度为a1，所述第二类量子阱层中的所述第二子层中的Si的掺杂浓度为a2，a1＜a2。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度为2.5～4nm。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度为0.2～1.2nm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述a2为所述a1的2～5倍。

5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，2≤n≤6。

6.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层；

在所述N型层上生长多量子阱层，所述多量子阱层包括多层周期交替生长的量子阱层和量子垒层，每层所述量子阱层均包括第一子层和生长在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层为InGaN层，所述第二子层为掺Si的InN层；

在所述多量子阱层上生长P型层；

在所述N型层上生长多量子阱层，包括：

在所述N型层上生长至少一层交替生长的第一类量子阱层和所述量子垒层；

在所述至少一层交替生长的所述第一类量子阱层和所述量子垒层上生长n层交替生长的第二类量子阱层和所述量子垒层；

所述第一类量子阱层中的所述第二子层中的Si的掺杂浓度为a1，所述第二类量子阱层中的所述第二子层中的Si的掺杂浓度为a2，a1＜a2。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，生长所述第一类量子阱层，包括：

向反应室内通入Ga源、In源和氨气，生长所述第一子层；

停止向所述反应室内通入所述Ga源，继续向所述反应室内通入所述In源和所述氨气，并向所述反应室内通入设定流量的Si源，在所述第一子层上生长Si的掺杂浓度为a1的第二子层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，生长所述第二类量子阱层，包括：

向反应室内通入Ga源、In源和氨气，生长所述第一子层；

停止向所述反应室内通入所述Ga源，继续向所述反应室内通入所述In源和所述氨气，并向所述反应室内通入设定流量的Si源，在所述第一子层上生长Si的掺杂浓度为a2的第二子层。