[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201911159325.3 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN112835230B 公开(公告)日: 2023-09-08
发明(设计)人: 张新霞;杨波;耿蒙;李群 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337;G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;刘伟
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:按照行列方式排布的第一子像素和第二子像素,所述第一子像素包括第一像素电极,所述第一像素电极上设置有多个并列排布的第一狭缝,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第二像素电极上设置有多个并列排布的第二狭缝,所述第一狭缝相对于参考方向具有第一倾斜角度,所述第二狭缝相对于所述参考方向具有第二倾斜角度,所述第一倾斜角度和所述第二倾斜角度互补,所述参考方向为所述阵列基板的栅线的一延伸方向;

同一行中包括至少一个所述第一子像素和至少一个所述第二子像素,和/或,同一列中包括至少一个所述第一子像素和至少一个所述第二子像素;

其中,像素电极上还包括一挖空区域,所述挖空区域用于放置薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的一个电极与所述像素电极连接,同一行中,当第一像素电极中的挖孔区域位于右上方时,第二像素电极中的挖孔区域位于左下方;当第一像素电极中的挖孔区域位于左上方时,第二像素电极中的挖孔区域位于左下方;

同一行中的相邻的第一子像素和第二子像素,多个第一狭缝和多个第二狭缝在竖直方向上排列方式为相互错开,其中,第一像素电极中的挖孔区域位于左上方或右上方,所述多个第一狭缝位于挖孔区域的下方,第二像素电极中的挖孔区域位于左下方,所述多个第二狭缝位于挖孔区域的上方;

同一行中,所述第一子像素和所述第二子像素交替设置;

同一列中,所述第一子像素和所述第二子像素交替设置。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,同一行中,包括第一子像素组和第二子像素组,所述第一子像素组和所述第二子像素组交替排布,所述第一子像素组包括n个连续设置的所述第一子像素,所述第二子像素组包括n个连续设置的所述第二子像素,n为大于或等于2的整数。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,n为3的倍数。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,n为3,所述第一子像素组中的三个所述第一子像素组成一像素单元,所述第二子像素组的三个所述第二子像素组成一像素单元。

5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一子像素组中的三个所述第一子像素分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素;

所述第二子像素组中的三个所述第二子像素分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。

6.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,同一列中,包括第三子像素组和第四子像素组,所述第三子像素组和所述第四子像素组交替排布,所述第三子像素组包括m个连续设置的所述第一子像素,所述第四子像素组包括m个连续设置的所述第二子像素,m为大于或等于2的整数。

7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制作方法,用于制作权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,包括:

形成按照行列方式排布的第一子像素和第二子像素,所述第一子像素包括第一像素电极,所述第一像素电极上设置有多个并列排布的第一狭缝,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第二像素电极上设置有多个并列排布的第二狭缝,所述第一狭缝相对于参考方向具有第一倾斜角度,所述第二狭缝相对于所述参考方向具有第二倾斜角度,所述第一倾斜角度和所述第二倾斜角度互补,所述参考方向为所述阵列基板的栅线的一延伸方向;

同一行中包括至少一个所述第一子像素和至少一个所述第二子像素,和/或,同一列中包括至少一个所述第一子像素和至少一个所述第二子像素。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911159325.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top