[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201911159325.3 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN112835230B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 张新霞;杨波;耿蒙;李群 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:按照行列方式排布的第一子像素和第二子像素,所述第一子像素包括第一像素电极,所述第一像素电极上设置有多个并列排布的第一狭缝,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第二像素电极上设置有多个并列排布的第二狭缝,所述第一狭缝相对于参考方向具有第一倾斜角度,所述第二狭缝相对于所述参考方向具有第二倾斜角度,所述第一倾斜角度和所述第二倾斜角度互补,所述参考方向为所述阵列基板的栅线的一延伸方向;
同一行中包括至少一个所述第一子像素和至少一个所述第二子像素,和/或,同一列中包括至少一个所述第一子像素和至少一个所述第二子像素;
其中,像素电极上还包括一挖空区域,所述挖空区域用于放置薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的一个电极与所述像素电极连接,同一行中,当第一像素电极中的挖孔区域位于右上方时,第二像素电极中的挖孔区域位于左下方;当第一像素电极中的挖孔区域位于左上方时,第二像素电极中的挖孔区域位于左下方;
同一行中的相邻的第一子像素和第二子像素,多个第一狭缝和多个第二狭缝在竖直方向上排列方式为相互错开,其中,第一像素电极中的挖孔区域位于左上方或右上方,所述多个第一狭缝位于挖孔区域的下方,第二像素电极中的挖孔区域位于左下方,所述多个第二狭缝位于挖孔区域的上方;
同一行中,所述第一子像素和所述第二子像素交替设置;
同一列中,所述第一子像素和所述第二子像素交替设置。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,同一行中,包括第一子像素组和第二子像素组,所述第一子像素组和所述第二子像素组交替排布,所述第一子像素组包括n个连续设置的所述第一子像素,所述第二子像素组包括n个连续设置的所述第二子像素,n为大于或等于2的整数。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,n为3的倍数。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,n为3,所述第一子像素组中的三个所述第一子像素组成一像素单元,所述第二子像素组的三个所述第二子像素组成一像素单元。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一子像素组中的三个所述第一子像素分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素;
所述第二子像素组中的三个所述第二子像素分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
6.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,同一列中,包括第三子像素组和第四子像素组,所述第三子像素组和所述第四子像素组交替排布,所述第三子像素组包括m个连续设置的所述第一子像素,所述第四子像素组包括m个连续设置的所述第二子像素,m为大于或等于2的整数。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制作方法,用于制作权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,包括:
形成按照行列方式排布的第一子像素和第二子像素,所述第一子像素包括第一像素电极,所述第一像素电极上设置有多个并列排布的第一狭缝,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第二像素电极上设置有多个并列排布的第二狭缝,所述第一狭缝相对于参考方向具有第一倾斜角度,所述第二狭缝相对于所述参考方向具有第二倾斜角度,所述第一倾斜角度和所述第二倾斜角度互补,所述参考方向为所述阵列基板的栅线的一延伸方向;
同一行中包括至少一个所述第一子像素和至少一个所述第二子像素,和/或,同一列中包括至少一个所述第一子像素和至少一个所述第二子像素。
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