[发明专利]一种籽晶生长装置

权利要求书

1.一种籽晶生长装置，其特征在于，所述装置包括外坩埚、内坩埚和坩埚盖，所述内坩埚呈顶部开口结构，所述内坩埚包括拉杆，所述拉杆垂直固定于所述内坩埚的底部中心处；所述坩埚盖的下表面中心包括小孔；所述拉杆与所述小孔连接；

所述坩埚盖盖合于所述外坩埚的顶部开口处，使得所述内坩埚位于所述外坩埚的内部空间，所述内坩埚的外壁与所述外坩埚的内壁、所述坩埚盖的下表面不触碰；

所述外坩埚底部中心包括圆柱形籽晶平台，用于固定籽晶。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述籽晶平台与所述外坩埚的内壁及底部形成环形凹槽。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述籽晶平台包括锥形台，所述锥形台呈倒锥形，上表面具有凹槽，用于固定籽晶；所述锥形台的下表面与所述外坩埚的底部中心的倒锥形开口契合。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述锥形台的下底面中心具有开孔。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述拉杆的顶部具有螺纹结构，所述坩埚盖的下表面中心小孔为螺纹孔，所述内坩埚通过所述拉杆顶部与所述螺纹孔连接于所述坩埚盖；所述拉杆高度高于所述内坩埚的上表面。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述坩埚盖呈T型结构，其中，所述坩埚盖上表面圆柱的直径与所述外坩埚的外径相同，并且大于所述坩埚盖下表面圆柱的直径。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述内坩埚呈倒圆台型，上端外径比底端外径大。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述外坩埚的上部距离开口一定距离处的内壁均匀向内缩径。

9.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述锥形台的上表面中心具有直径略小于所述锥形台上表面直径的凹槽。

10.根据权利要求1～9任一项所述装置在制备碳化硅单晶中的应用，其特征在于所述碳化硅单晶正向生长于所述装置的籽晶平台之上。