[发明专利]一种籽晶的处理方法及其装置

权利要求书

1.一种籽晶的处理方法，其特征在于，所述方法包括：

通过石墨胶将石墨纸粘接在籽晶的生长面，所述石墨纸覆盖所述籽晶的整个上表面；

将所述籽晶的下表面贴合石墨盘片；

将所述石墨盘片固定在支撑架中，并将所述支撑架放入坩埚内上侧；

高温处理所述坩埚并通入处理气体，使所述坩埚底部的原料升华，同时调节所述处理气体的通入流速、处理压力，直至所述籽晶背面与所述石墨盘片粘接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原料是含硅源和碳源的化合物或气体的混合物，所述原料的粒径在50-500微米之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述处理气体为氩气和甲烷，通入所述氩气的流速在1-500sccm，通入所述甲烷的流速在1-10sccm，所述处理压力在1-600torr之间。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述高温处理包括，在1600-2100摄氏度处理8-20小时。

5.一种籽晶的处理装置，其特征在于，所述装置包括石墨盘片、坩埚和支撑架，所述石墨盘片具有多个规则排列的通孔，所述支撑架至少包括支撑架壁和主体部分，其中主体部分由外到内包括支撑臂、托架和中心空洞。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述石墨盘片至少包括盘片边缘和凹槽，其中，所述多个通孔位于所述凹槽内，所述通孔形状是圆形或多边形，并呈圆环状规则分布排列或呈平行规则分布排列。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述凹槽的深度不高于籽晶的高度，所述凹槽的内径比籽晶的外径大0.1-0.2mm。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述支撑架的所述托架的形状与所述石墨盘片的所述盘片边缘的形状契合；所述支撑架的所述中心空洞直径与所述石墨盘片的凹槽直径相同，所述托架直径与所述石墨盘片直径相同。

9.根据权利要求5-8任一项所述的装置，其特征在于，所述支撑臂为多层。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述支撑臂上距支撑架壁的内边缘一定距离处设置有一圈通孔，用于气体流通。