[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911162862.3 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111081653A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 唐伟炜 | 申请（专利权）人： | 合肥速芯微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人： | 田嘉嘉 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市高新区创*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
第一半导体装置，包括第一芯片，第二半导体装置，包括第二芯片，所述第一半导体装置和所述第二半导体装置相对设置；
第一绝缘层，覆盖包括所述第一芯片在内的部分所述第一半导体装置和包括所述第二芯片在内的部分所述第二半导体装置，并实现所述第一半导体装置和所述第二半导体装置的隔离和固定；以及
第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一半导体装置和所述第二半导体装置之间的间距D介于0.05～0.15mm。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片包括信号发射模块，所述第二半导体装置包括信号接收模块。
4.如权利要求3半导体封装结构，其特征在于，所述信号发射模块与所述信号接收模块正对设置。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度介于1.6～3.6mm，所述第二绝缘层的厚度介于1～2mm。
6.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
制备第一半导体装置和第二半导体装置，所述第一半导体装置包括第一芯片，所述第二半导体装置包括第二芯片；
通过模具夹持所述第一半导体装置和所述第二半导体装置并移动，以到达所述第一半导体装置和所述第二半导体装置的设定相对位置；
进行第一次绝缘封装，形成第一绝缘层以覆盖包括所述第一芯片在内的部分所述第一半导体装置和包括所述第二芯片在内的部分所述第二半导体装置，并隔离和固定所述第一半导体装置和所述第二半导体装置；以及
进行第二次绝缘封装，形成第二绝缘层以覆盖所述第一绝缘层。
7.如权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，制备第一半导体装置和第二半导体装置的步骤皆包括：
提供衬底；
将芯片设置在所述衬底上；以及
将所述芯片和所述衬底打线连接。
8.如权利要求7所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一芯片包括信号发射模块，所述第二芯片包括信号接收模块；移动所述第一半导体装置和所述第二半导体装置使得所述信号发射模块和所述信号接收模块正对设置。
9.如权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，形成第二绝缘层，第一半导体装置和第二半导体装置部分暴露在所述第二绝缘层外，之后还包括：对暴露的第一半导体装置和第二半导体装置进行电镀工艺。
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