[发明专利]金属硬质掩模一体化刻蚀方法及其控制系统有效
| 申请号： | 201911162919.X | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110867374B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 黄达斐;吴晓彤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 硬质 一体化 刻蚀 方法 及其 控制系统 | ||
1.一种金属硬质掩模一体化刻蚀方法，其用于半导体生产制造工艺中，其特征在于，包括以下步骤：
执行通孔刻蚀，反馈通孔刻蚀RFVpp参数；
执行原位去胶；
根据反馈通孔刻蚀RFVpp参数计算沟槽刻蚀步骤的实际刻蚀时间；
根据所述实际刻蚀时间执行沟槽刻蚀；
其中，采用以下公式计算沟槽刻蚀步骤的实际刻蚀时间；
TA＝TS+a*[Ra-Rb1]，TA沟槽刻蚀步骤实际刻蚀时间，TS沟槽刻蚀步骤标准设定刻蚀时间，a是根据实际工艺参数指定的影响因子，Ra是RFVpp参数的实际值，Rb1是RFVpp参数的平均值。
2.如权利要求1所述的金属硬质掩模一体化刻蚀方法，其特征在于：实时反馈通孔刻蚀RFVpp参数，实时反馈通孔刻蚀RFVpp参数，实时计算沟槽刻蚀步骤的实际刻蚀时间。
3.一种金属硬质掩模一体化刻蚀控制系统，其用于半导体生产制造工艺中，其特征在于，包括：
参数获取模块，其适用于执行通孔刻蚀时，获取通孔刻蚀RFVpp参数；
计算模块，其适用于根据通孔刻蚀RFVpp参数计算获得沟槽刻蚀实际刻蚀时间；
控制模块，其适用于控制刻蚀机执行通孔刻蚀、原位去胶和沟槽刻蚀的工艺顺序和工作时长；
其中，沟槽刻蚀时长为计算模块提供的沟槽刻蚀实际刻蚀时间，计算模块采用以下公式计算沟槽刻蚀步骤的实际刻蚀时间；
TA＝TS+a*[Ra-Rb1]，TA沟槽刻蚀步骤实际刻蚀时间，TS沟槽刻蚀步骤标准设定刻蚀时间，a是根据实际工艺参数指定的影响因子，Ra是RFVpp参数的实际值，Rb1是RFVpp参数的平均值。
4.如权利要求3所述的金属硬质掩模一体化刻蚀控制系统，其特征在于：实时反馈通孔刻蚀RFVpp参数，实时计算沟槽刻蚀步骤的实际刻蚀时间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
