[发明专利]垂直腔面发射激光器芯片筛选方法及装置

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器芯片筛选方法，包括对垂直腔面发射激光器芯片进行老化筛选的步骤，以通过性能测试将经过老化处理后的失效芯片剔除；其特征在于，在所述老化筛选之前，先对垂直腔面发射激光器芯片进行预筛选，具体方法如下：用直流电流脉冲对垂直腔面发射激光器芯片进行循环冲击，并在冲击完成后通过性能测试将失效芯片剔除；所述直流电流脉冲的电流大小为Ith+S，脉冲宽度为50ms～200ms，Ith为所述垂直腔面发射激光器芯片的阈值电流，S的取值范围为20mA～40 mA。

2.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器芯片筛选方法，其特征在于，S的取值范围为25mA～35 mA。

3.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器芯片筛选方法，其特征在于，脉冲宽度为75ms～150ms。

4.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器芯片筛选方法，其特征在于，所述循环冲击的循环次数为80～120次。

5.一种垂直腔面发射激光器芯片筛选装置，包括用于对垂直腔面发射激光器芯片进行老化筛选的老化测试模块，所述老化测试模块包括用于对垂直腔面发射激光器芯片进行老化处理的老化处理子模块，以及用于通过性能测试将经过老化处理后的失效芯片剔除的性能测试子模块；其特征在于，所述筛选装置还包括用于在所述老化筛选之前，先对垂直腔面发射激光器芯片进行预筛选的预筛选模块，所述预筛选模块包括直流冲击子模块和性能测试子模块，所述直流冲击子模块用于用直流电流脉冲对垂直腔面发射激光器芯片进行循环冲击，性能测试子模块用于在冲击完成后通过性能测试将失效芯片剔除；所述直流电流脉冲的电流大小为Ith+S，脉冲宽度为50ms～200ms，Ith为所述垂直腔面发射激光器芯片的阈值电流，S的取值范围为20mA～40 mA。

6.如权利要求5所述垂直腔面发射激光器芯片筛选装置，其特征在于，S的取值范围为25mA～35 mA。

7.如权利要求5所述垂直腔面发射激光器芯片筛选装置，其特征在于，脉冲宽度为75ms～150ms。

8.如权利要求5所述垂直腔面发射激光器芯片筛选装置，其特征在于，所述循环冲击的循环次数为80～120次。

9.如权利要求5～8任一项所述垂直腔面发射激光器芯片筛选装置，其特征在于，预筛选模块中的性能测试子模块复用老化测试模块中的性能测试子模块。