[发明专利]器件NBTI寿命改善方法和结构

权利要求书

1.一种器件NBTI寿命改善方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底以及形成于所述基底上的器件；

在所述器件上沉积氧化薄膜层；

通过ALD工艺，在所述氧化薄膜层上沉积应力薄膜结构，所述应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜；

进行退火工艺，通过退火工艺增大所述应力薄膜结构对所述器件施加的应力。

2.如权利要求1所述的器件NBTI寿命改善方法，其特征在于，所述通过ALD工艺，在所述氧化薄膜层上沉积应力薄膜结构，包括：

在300℃～700℃的温度范围内，通过ALD工艺，在所述氧化薄膜层上沉积所述应力薄膜结构。

3.如权利要求1或2所述的器件NBTI寿命改善方法，其特征在于，所述应力薄膜包括纯SiN、经掺杂碳元素的SiN以及经掺杂硼元素的SiN中的至少一种材料。

4.如权利要求1或2所述的器件NBTI寿命改善方法，其特征在于，所述应力薄膜结构的厚度范围为：100A-400A。

5.如权利要求1所述的器件NBTI寿命改善方法，其特征在于，所述在所述器件上沉积氧化薄膜层，包括：通过CVD工艺在所述器件上沉积所述氧化薄膜层。

6.如权利要求1所述的器件NBTI寿命改善方法，其特征在于，所述氧化薄膜层包括SiO₂。

7.如权利要求1所述的器件NBTI寿命改善方法，其特征在于，所述进行退火工艺，通过退火工艺增大所述应力薄膜结构对所述器件施加的应力，包括：

通过RTA工艺，和/或，LSA工艺增大所述应力薄膜结构对所述器件施加的应力。

8.一种用于改善器件NBTI寿命的结构，其特征在于，包括：

基底以及形成于基底上的器件；

形成于所述器件上的氧化薄膜层；

通过ALD工艺，形成于所述氧化薄膜层上的应力薄膜结构，所述应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜。

9.如权利要求8所示的用于改善器件NBTI寿命的结构，其特征在于，所述应力薄膜结构，为在300℃～700℃的温度范围内，通过ALD工艺，在氧化薄膜层上沉积而成；所述应力薄膜结构的厚度范围为：100A-400A。

10.如权利要求8或9所示的用于改善器件NBTI寿命的结构，其特征在于，所述应力薄膜包括：纯SiN、经掺杂碳元素的SiN或经掺杂硼元素的SiN中的至少一种材料。

11.如权利要求8所述的用于改善器件NBTI寿命的结构，其特征在于，所述器件包括栅极、位于栅极和基底之间的栅氧化层、位于栅氧化层两侧的源极和漏极。

12.如权利要求11所述的用于改善器件NBTI寿命的结构，其特征在于，所述源极和漏极包括金属硅化物。

13.如权利要求12所述的用于改善器件NBTI寿命的结构，其特征在于，所述金属硅化物包括NiSi。