[发明专利]一种源漏接触金属的自对准图形化方法

权利要求书

1.一种无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法，其特征在于包括以下步骤：

S1：在衬底(100)上沉积一半导体层(101)，并在半导体层上形成包括栅介质层(103)、栅极(104)、侧墙(105)以及主栅电极(106)的栅结构；

S2：在上述栅结构上沉积一层金属薄膜作为薄膜晶体管的源漏接触金属层(107)，在侧墙(104)和主栅电极(106)上均留有一定厚度的金属薄膜；

S3：在所述源漏接触金属层(107)上沉积层间介质层(108)；

S4：采用化学机械抛光以所述源漏接触金属层(107)为停止层对层间介质层(108)平坦化；

S5：采用回刻技术对层间介质层(108)减薄，在接触区域上方保留层间介质层(108)，将接触区域外的栅侧墙外壁和栅顶部的主栅电极金属层裸露出来；

S6：采用光刻胶做掩膜，开窗定义源漏区和栅的图形总尺寸，并刻蚀掉其余的层间介质层(108)；

S7：以剩余层间介质层(108)为掩膜，刻蚀掉裸露的金属层，所保留的层间介质层(108)作为自对准掩膜来保护接触区域不被刻蚀。

2.如权利要求1所述的无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法，其特征在于，所述半导体层(100)为碳纳米管薄膜、应变硅或锗、量子阱、三五族化合物半导体、石墨烯、二维材料如二硫化钼、黑磷。

3.如权利要求1所述的无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法，其特征在于，所述源漏接触金属层(107)选自钯、钪、镍铂合金、钛、钛钯、钴、钇、铝等金属或多个金属叠层组成。

4.如权利要求1所述的无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法，其特征在于，其中所述的栅结构可以为包括栅介质、多晶硅假栅或非晶硅假栅以及侧墙的假栅结构。

5.如权利要求1所述的无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法，其特征在于，所述步骤S2中通过磁控溅射沉积所述金属薄膜。

6.如权利要求1所述的无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法，其特征在于，步骤S3中通过PECVD沉积氧化硅或者旋涂一层绝缘介质SOD形成。

7.如权利要求1所述的无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法，其特征在于，所述步骤S5中接触区域上方保留层间介质层(108)的厚度为10-20纳米。

8.如权利要求1所述的无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法，其特征在于，所述栅介质选自氧化硅、氧化铪、氧化锆、氧化钇、氧化钽、氧化镧或氧化镧铝、氮化硅等硬质材料、或者环氧树脂、PMMA等有机高分子绝缘层，厚度范围为2～100nm。