[发明专利]制造至少一个暗电流减小的钝化平面光电二极管的方法

权利要求书

1.一种用于制造至少一个钝化平面光电二极管(1)的方法，其包括以下步骤：

i)制作半导体检测部(10)，其具有彼此相对并与所述光电二极管(1)的主平面平行的第一面和第二面(10a、10b)，并且具有：

ο中间区域(13)，其与所述第一面(10a)平齐；

ο下部区域(12)，其掺杂成第二导电类型并且与所述第二面(10b)平齐；

ii)沉积由介电材料制成的覆盖所述第一面(10a)的钝化层(20)，并且在所述钝化层(20)中形成至少一个通孔(22)，所述通孔在所述第一面(10a)上开口并且在所述主平面中至少部分地围绕所述半导体检测部(10)的中央部分；

iii)制作与所述下部区域(12)接触的侧部(23)，其由掺杂成第二导电类型的半导体材料制成并且要被电偏置；

其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

iv)制作至少一个外围部(21)，其由包含具有第二导电类型的掺杂元素的半导体材料制成，位于所述第一面(10a)上并通过所述通孔(22)与所述第一面(10a)接触；

v)退火，确保所述掺杂元素从所述外围部(21)扩散到所述半导体检测部(10)，由此在所述半导体检测部(10)中形成掺杂成第二导电类型的外围区域(14)，所述外围区域(14)与所述第一面(10a)平齐并且在所述主平面中围绕所述中央部分，位于上部区域(11)与所述侧部(23)之间并与之相距非零的距离；

vi)在所述半导体检测部(10)的中央部分中制作所述上部区域(11)，其掺杂成与第二类型相反的第一导电类型并要被电偏置，其与所述第一面(10a)平齐并且通过所述中间区域(13)与所述下部区域(12)分隔，并在所述主平面中被所述外围区域(14)围绕。

2.根据权利要求1所述的方法，所述退火步骤还确保具有第二导电类型的掺杂元素从所述侧部(23)扩散到所述半导体检测部(10)，由此在所述半导体检测部(10)中形成掺杂成第二导电类型的侧部区域(15)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体检测部(10)是基于锗的，并且所述侧部(23)是基于硅的，所述退火步骤还确保硅从所述侧部(23)扩散到所述半导体检测部(10)，由此在所述半导体检测部(10)中形成基于硅-锗的侧部区(16)。

4.根据权利要求1所述的方法，包括以下步骤：

-制作由感兴趣的半导体材料制成的堆叠，所述堆叠由中间子层(42.2)和掺杂成第二导电类型的下部子层(42.1)形成；

-制作延伸通过所述下部子层和中间子层(42.1、42.2)的堆叠的沟槽(24)，由此限定所述光电二极管(1)的半导体检测部(10)；

-通过在所述钝化层(20)的通孔(22)中和所述沟槽(24)中沉积掺杂成第二导电类型的半导体材料，同时制作所述侧部(23)和所述外围部(21)。

5.根据权利要求1所述的方法，包括制作至少一个反射部(31)的步骤，所述至少一个反射部在与所述半导体检测部(10)相反的面上与所述外围部(21)接触，由对要由所述光电二极管(1)检测的入射光辐射有反射性的材料制成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，通过在所述外围部(21)上沉积由金属材料制成的层来获得所述反射部(31)，所述外围部是基于硅的；然后进行硅化退火，由此形成由硅化的金属材料制成的反射部(31)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，制作掺杂的上部区域(11)的步骤包括以下子步骤：

-制作由掺杂成第一导电类型的半导体材料制成的中央部(25)，其设置在位于所述中央部分中的钝化层(20)的中央通孔(26)中，并与所述第一面(10a)接触；

-退火，确保具有第一导电类型的掺杂元素从所述中央部(25)扩散到所述半导体检测部(10)，由此所述形成上部区域(11)。