[发明专利]半导体器件、存储器宏和静态随机存取存储器阵列的布局

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

电路区域；

第一阱拾取(WPU)区域；

第一阱，在所述电路区域中沿第一方向纵向定向并且延伸到所述第一阱拾取区域中，所述第一阱具有第一导电类型；以及

第二阱，在所述电路区域中沿所述第一方向纵向延伸并且延伸到所述第一阱拾取区域中，所述第二阱具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，

其中：

所述第一阱具有位于所述电路区域中的第一部分和位于所述第一阱拾取区域中的第二部分，

所述第一阱的所述第一部分和所述第二阱形成第一阱边界，

所述第一阱的所述第二部分和所述第二阱形成第二阱边界，并且

所述第一阱的所述第二部分的宽度大于沿垂直于所述第一方向的第二方向的所述第一阱的所述第一部分的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二阱拾取区域，

其中：

所述第一阱拾取区域设置在所述电路区域和所述第二阱拾取区域之间，

所述第二阱还延伸到所述第二阱拾取区域中，并且

所述第二阱具有位于所述第二阱拾取区域中的部分，所述部分的宽度大于沿所述第二方向的所述电路区域或所述第一阱拾取区域中的所述第二阱的其他部分的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二阱拾取区域中的所述第二阱的所述部分的宽度大于沿所述第二方向的所述第一阱拾取区域中的所述第一阱的所述第二部分的的宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

第一接触部件，设置在所述第一阱拾取区域中的所述第一阱上方并且沿所述第一方向以第一行数布置；以及

第二接触部件，设置在所述第二阱拾取区域中的所述第二阱上方，并且沿所述第一方向以第二行数布置。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一行数等于所述第二行数。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一行数小于所述第二行数。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一阱拾取区域是n型阱拾取区域，所述第二阱拾取区域是p型阱拾取区域。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阱边界和所述第二阱边界是平行的并且沿所述第二方向间隔开。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一阱还包括位于所述电路区域中的第三部分，

所述第三部分与所述第一阱的所述第一部分平行，并且

所述第三部分与所述第一阱的所述第二部分连接。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一有源区域，在所述第一阱拾取区域中的所述第一阱上方沿所述第一方向纵向延伸；以及

第二有源区域，在所述电路区域中的所述第二阱上方沿所述第一方向纵向延伸，

其中，所述第一有源区域和所述第二有源区域沿所述第一方向纵向对准。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一有源区域和所述第二有源区域在所述电路区域与所述第一阱拾取区域之间的边界处不连续。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阱是n型阱，并且所述第二阱是p型阱。