[发明专利]包括可变形吸收器的悬置膜式热检测器

权利要求书

1.一种适于检测电磁辐射的热检测器(1)，包括：

○衬底(10)；

○所述电磁辐射的反射器(3)；

○适于检测所述电磁辐射的三维结构(2)，所述三维结构悬置于衬底(10)上方且与衬底(10)热绝缘，并且包括：

●包括测温传感器(23)的膜(20)，

●所述电磁辐射的吸收器(30)，

■置于膜(20)上且与所述膜部分地隔开，并且与测温传感器(23)热连接，

■与反射器(3)隔开，以便形成用于所述电磁辐射的四分之一波长干涉腔，

其特征在于，所述吸收器(30)：

●基于形状记忆合金而形成，所述形状记忆合金具有所谓的马氏体逆相变，即从所谓的奥氏体起始温度A_s开始，将合金的马氏体相转变为奥氏体相，并且

●适于：

■当吸收器的温度小于或等于第一阈值温度T₁(M_f、A_s)时具有所谓的检测结构，在该检测结构中，吸收器在平行于反射器(3)的平面中以平坦的方式延伸，并且

■当吸收器的温度高于与奥氏体起始温度A_s相等的预定第二阈值温度T₂时具有所谓的冷却结构，在该冷却结构中，吸收器相对于平行于反射器(3)的平面至少部分地以弯曲的方式延伸。

2.根据权利要求1所述的热检测器(1)，其中，所述形状记忆合金具有马氏体相的体积分数χ_m，并且在所述体积分数χ_m大于或等于0.95时具有平坦的检测结构，以及在所述体积分数χ_m小于0.95时具有弯曲的冷却结构。

3.根据权利要求1所述的热检测器(1)，其中，所述形状记忆合金具有马氏体相的体积分数χ_m，并且当其温度大于或等于所谓的奥氏体终止温度A_f时，所述体积分数χ_m小于或等于0.05，所述奥氏体终止温度A_f低于预定的阈值温度T_th，以保护测温传感器。

4.根据权利要求1所述的热检测器(1)，其中，所述可变形吸收器(30)包括置于膜(20)上且与膜接触的固定部分(30.1)，以及自由部分(30.2)，所述自由部分适于根据可变形吸收器(30)的温度而变形，并从固定部分(30.1)延伸并与膜(20)隔开。

5.根据权利要求1所述的热检测器(1)，其中，所述形状记忆合金是基于NiTi的金属合金。

6.根据权利要求1所述的热检测器(1)，其中，所述形状记忆合金是选自以下的金属合金：Ti_85.3-xNi_xHf_14.7，其中x50at.％；Ti_82-xNi_xZr₁₈，其中x49at.％；Ti₇Ni₁₁Zr₄₃Cu_39-xCo_x，其中x10at.％；Ti₅₀Ni_50-xPt_x，其中x25at.％；Ti_50.5Ni_24.5Pd₂₅、Ti₅₁Ni₃₈Cu₁₁、Ti_50-xNi₅₀Cu_x，其中x7.5at.％；或基于TiNiCuAlMn的合金。

7.根据权利要求1所述的热检测器(1)，其中，所述可变形吸收器(30)包括形状记忆合金的吸收层(32)，所述吸收层具有布置在吸收层(32)的与衬底(10)相对的表面上的突起(34)。