[发明专利]一种晶圆级的封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201911166038.5 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110890335A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 任玉龙;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/538;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 封装 结构 方法 | ||
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括，
塑封层；
第一晶圆，所述第一晶圆包覆于所述塑封层内，第一晶圆正面与载片相对设置；
导电金属柱，贯通设置于所述塑封层内，且导电金属柱第一端设置在塑封层内，导电金属柱第二端在所述塑封层的一侧露出；
重布线层，包括第一重布线层和第二重布线层；所述第一重布线层分别与所述第一晶圆正面和导电金属柱第一端电连接；所述第二重布线层设置在第一晶圆背面的方向，且与导电金属柱第二端电连接；
载片，通过键合层与所述第一晶圆正面键合；所述载片内有凹槽，与所述第一晶圆正面相对设置。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括，
第一焊盘，设置在所述第一晶圆正面，且与所述第一重布线层电连接。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括，
第二焊盘，设置在所述第一晶圆背面的方向，且与所述第二重布线层电连接。
4.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述导电金属柱是铜柱。
5.一种封装权利要求1-4任一项所述晶圆级封装结构的方法，其特征在于，包括以下步骤，
第一晶圆正面与载片进行键合，然后形成开口；
在所述开口进行重布线形成第一重布线层；
在所述第一重布线层形成导电金属柱，然后进行塑封，形成塑封层；
使所述导电金属柱第二端露出；
在所述导电金属柱进行重布线形成第二重布线层，再在所述第二重布线层表面形成第二焊盘，得到所述晶圆级封装结构。
6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述开口的形成方法为机械切割法或干法刻蚀法。
7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述导电金属柱的形成工艺为电镀工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911166038.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
