[发明专利]热处理方法及热处理装置在审
申请号: | 201911167490.3 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN111383951A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 野崎仁秀;上野智宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 方法 装置 | ||
1.一种热处理方法,其特征在于:是通过对衬底照射闪光而将该衬底加热的热处理方法,且具备:
反射率测定制程,测定成为处理对象的衬底的反射率;
反射率推算制程,根据通过所述反射率测定制程测定所得的实测反射率,推算所述衬底的理论反射率;以及
特定制程,基于通过所述反射率推算制程所推算出的理论反射率,特定出形成在所述衬底表面的薄膜的膜种类及膜厚。
2.根据权利要求1所述的热处理方法,其特征在于:还具备相关关系获取制程,所述相关关系获取制程是求出已知理论反射率的基准衬底的实测反射率与该理论反射率的相关系数,
在所述反射率推算制程中,基于通过所述反射率测定制程测定所得的实测反射率及所述相关系数,推算所述衬底的理论反射率。
3.根据权利要求1所述的热处理方法,其特征在于:还具备数据库制作制程,所述数据库制作制程是制作将推算关于形成有多种膜种类及膜厚的薄膜的衬底的理论反射率所获得的多个理论反射率与膜种类及膜厚建立关联地登录所得的数据库,
在所述特定制程中,对所述数据库进行通过所述反射率推算制程所推算出的理论反射率的图案匹配,而特定出形成在所述衬底表面的薄膜的膜种类及膜厚。
4.根据权利要求3所述的热处理方法,其特征在于:在形成有图案的所述衬底的表面,视为形成有相当于通过所述特定制程所特定出的膜种类及膜厚的特性的薄膜。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的热处理方法,其特征在于:还具备条件决定制程,所述条件决定制程是基于通过所述特定制程所特定出的膜种类及膜厚,决定对于所述衬底的处理条件。
6.一种热处理装置,其特征在于:是通过对衬底照射闪光而将该衬底加热的热处理装置,且具备:
腔室,收容成为处理对象的衬底;
闪光灯,对收容在所述腔室内的所述衬底照射闪光;
反射率测定部,测定所述衬底的反射率;
反射率推算部,根据通过所述反射率测定部测定所得的实测反射率,推算所述衬底的理论反射率;以及
特定部,基于通过所述反射率推算部所推算出的理论反射率,特定出形成在所述衬底表面的薄膜的膜种类及膜厚。
7.根据权利要求6所述的热处理装置,其特征在于:还具备相关关系获取部,所述相关关系获取部求出已知理论反射率的基准衬底的实测反射率与该理论反射率的相关系数,
所述反射率推算部基于通过所述反射率测定部测定所得的实测反射率及所述相关系数,推算所述衬底的理论反射率。
8.根据权利要求6所述的热处理装置,其特征在于:还具备存储部,所述存储部保存将推算关于形成有多种膜种类及膜厚的薄膜的衬底的理论反射率所获得的多个理论反射率与膜种类及膜厚建立关联地登录所得的数据库,
所述特定部对所述数据库进行通过所述反射率推算部所推算出的理论反射率的图案匹配,而特定出形成在所述衬底表面的薄膜的膜种类及膜厚。
9.根据权利要求8所述的热处理装置,其特征在于:在形成有图案的所述衬底的表面,视为形成有相当于通过所述特定部所特定出的膜种类及膜厚的特性的薄膜。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的热处理装置,其特征在于:还具备条件决定部,所述条件决定部基于通过所述特定部所特定出的膜种类及膜厚,决定对于所述衬底的处理条件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造