[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

栅极层，形成于所述衬底上，图案化形成栅极；

栅极绝缘层，形成于所述栅极层上，覆盖所述栅极层和所述衬底；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上，图案化形成有源区，所述有源区包括沟道区和掺杂区；

沟道保护层，形成于所述有源层上，图案化形成位于所述沟道区上方的沟道保护区；

刻蚀阻挡层，形成于所述沟道保护层上，覆盖所述沟道保护层、所述有源层、以及所述栅极绝缘层；

源漏极层，形成于所述刻蚀阻挡层上，图案化形成源极和漏极，所述源极或所述漏极通过过孔与所述掺杂区相连。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道保护区仅对应于所述沟道区。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道保护区对应于所述沟道区和部分所述掺杂区。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道保护层的材料为铟锌氧化物。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道保护层的厚度为4～6nm。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上制备栅极层；

在所述栅极层上制备栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制备有源层；

在所述有源层上制备沟道保护层；

在所述沟道保护层上制备刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上制备源漏极层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上制备有源层的具体步骤包括：

采用物理气相沉积法，在所述栅极绝缘层上沉积一层铟镓锌氧化物薄膜；

对所述铟镓锌氧化物薄膜进行图案化，形成有源区；

对所述有源区进行部分掺杂，形成掺杂区和沟道区。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层上制备沟道保护层的具体步骤包括：

采用物理气相沉积法，在所述沟道区上沉积一层铟锌氧化物薄膜，作为沟道保护层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述铟锌氧化物薄膜的沉积厚度为4～6nm。

10.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述沟道保护层上制备刻蚀阻挡层的具体步骤包括：

采用化学气相沉积法，在所述沟道保护层上沉积一层氧化硅薄膜，作为刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述沟道保护层、所述有源层、以及所述栅极绝缘层。