[发明专利]量子点、其制造方法、组合物和图案化膜以及显示装置

权利要求书

1.一种量子点，所述量子点包括：

种子，包括第一半导体纳米晶体，第一半导体纳米晶体包括第一II-VI族化合物；

量子阱，围绕种子，量子阱包括第二半导体纳米晶体，第二半导体纳米晶体包括IIIA族金属和V族元素，其中，所述IIIA族金属不包括铝；以及

壳，设置在量子阱上，壳包括第三半导体纳米晶体，第三半导体纳米晶体包括第二II-VI族化合物，

其中，量子点不包括镉，

第二半导体纳米晶体的能带隙比第一半导体纳米晶体的能带隙小，

第二半导体纳米晶体的能带隙比第三半导体纳米晶体的能带隙小，并且

量子点的紫外-可见吸收光谱曲线在450纳米至600纳米的波长范围内不具有拐点。

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一II-VI族化合物、第二II-VI族化合物或它们的组合包括锌硫属元素化物。

3.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一半导体纳米晶体和第三半导体纳米晶体具有彼此不同的组成。

4.根据权利要求1所述的量子点，其中，

第一半导体纳米晶体包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合，并且

第三半导体纳米晶体包括ZnSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的量子点，其中，量子阱包括铟和磷。

6.根据权利要求5所述的量子点，其中，量子阱还包括锌、铝或它们的组合。

7.根据权利要求5所述的量子点，其中，量子阱还包括铝和氧。

8.根据权利要求5所述的量子点，其中，在量子点中，铟和磷的总摩尔量小于或等于20％。

9.根据权利要求5所述的量子点，其中，量子点的磷与铟之比大于或等于1:1。

10.根据权利要求6所述的量子点，其中，量子点的锌与铟之比大于或等于20:1。

11.根据权利要求6所述的量子点，其中，

种子包括锌和硒，并且壳包括锌、硒和硫，并且

量子点的锌与硒和硫之和的摩尔比大于或等于1:1。

12.根据权利要求6所述的量子点，其中，量子阱包括多个层，并且所述多个层中的相邻层具有彼此不同的组成。

13.根据权利要求12所述的量子点，其中，量子阱中的与种子相邻的层包括磷化锌、磷化锌铟、氧化铝磷或它们的组合。

14.根据权利要求12所述的量子点，其中，量子阱中的与壳相邻的层包括磷化铟。

15.根据权利要求1所述的量子点，其中，

量子点发射绿光，并且

量子点的紫外-可见吸收光谱曲线在450纳米至580纳米的波长范围内不具有拐点。

16.根据权利要求1所述的量子点，其中，

量子点发射绿光，并且

在量子点的紫外-可见吸收光谱曲线中，450纳米波长处的强度与500纳米波长处的强度之比大于或等于2.0:1。

17.根据权利要求1所述的量子点，其中，

量子点发射红光，并且

量子点的紫外-可见吸收光谱曲线在550纳米至620纳米的波长范围内不具有拐点。