[发明专利]一种X/Ku波段幅相控制收发芯片

权利要求书

1.一种X/Ku波段幅相控制收发芯片，其特征在于，包括数控衰减器、第一单刀双掷开关、第一低增益放大器、第一数控移相器、第二低增益放大器、第二数控移相器、第三低增益放大器、第三数控移相器、第二单刀双掷开关、单刀三掷开关、接收输入端、发射输出端和收发公共端；

所述的接收输入端同数控衰减器输入端连接，数控衰减器输出端同第一单刀双掷开关第一触点连接，第一单刀双掷开关公共端同第一低增益放大器输入端连接，第一低增益放大器输出端同第一数控移相器输入端连接，第一数控移相器输出端同第二低增益放大器输入端连接，第二低增益放大器输出端同第二数控移相器输入端连接，第二数控移相器输出端同第三低增益放大器输入端连接，第三低增益放大器输出端同第三数控移相器输入端连接，第三数控移相器输出端同第二单刀双掷开关公共端连接，第二单刀双掷开关第二触点同发射输出端连接，第二单刀双掷开关第一触点同单刀三掷开关第一触点连接，单刀三掷开关公共端同收发公共端连接，单刀三掷开关第二触点同第一单刀双掷开关第二触点连接，单刀三掷开关第三触点连接50Ω负载到地。

2.根据权利要求1所述的X/Ku波段幅相控制收发芯片，其特征在于，所述的数控衰减器，有6位衰减位，按照8dB、4dB、1dB、0.5dB、2dB以及16dB顺序级联而成，每位衰减位均采用开关电阻法；其中0.5dB和1dB采用T型衰减结构，2dB、4dB和8dB采用对称的π型衰减结构，16dB采用两个8dB串联实现；

所述T型衰减结构的电路包括第一MOSFET M1和电阻R，具体如下：

第一MOSFET M1的漏极连接信号链路，源极通过电阻R连接到地，栅极连接第一控制电平Q1，当第一控制电平Q1为高电平时，信号链路并联电阻R到地，工作在衰减状态；当第一控制电平Q1为低电平时，信号链路同电阻R断开，工作在直通状态；

所述π型衰减结构的电路包括第二MOSFET M2、第三MOSFET M3、第四MOSFET M4、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，具体如下：

第二MOSFET M2的漏极连接输出端，源极连接输入端；第三MOSFET M3的漏极连接第一电阻R1的一端，源极接地；第四MOSFET M4的漏极连接第三电阻R3的一端，源极接地；第二电阻R2的一端连接第一电阻R1的另一端以及输入端，另一端连接第三电阻R3的另一端以及输出端，其中，第二电阻R2同第三电阻R3阻值相等；

第二MOSFET M2的栅极连接第二控制电平Q2，第三MOSFET M3和第四MOSFET M4的栅极连接第三控制电平第二控制电平Q2和第三控制电平互为反相电平；当第二控制电平Q2为高电平时，第三控制电平为低电平，第二MOSFET M2导通，第三MOSFET M3和第四MOSFET M4关断，输入和输出端直通；当第二控制电平Q2为低电平时，第三控制电平为高电平，第二MOSFET M2关断，第三MOSFET M3和第四MOSFET M4导通，第一电阻R1、第三电阻R3连接到地，同第二电阻R2组成π型衰减网络，工作在衰减状态。