[发明专利]一种环氧型负性厚膜光刻胶及其制备与使用方法

权利要求书

1.一种环氧型负性厚膜光刻胶，其特征在于，所述光刻胶包括以下重量百分比的组成：

环氧树脂 10~80%；

光致产酸剂 3~6%；

聚合型缩水甘油醚添加剂 1~5%；

流平剂 100~3000ppm；

溶剂 余量；

其中，所述环氧树脂选用美国瀚森公司生产的EPON SU8环氧树脂；所述光致产酸剂包括三芳基锍六氟锑酸盐混合物；所述聚合型缩水甘油醚添加剂为聚丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚或两者的衍生物。

2.如权利要求1所述的环氧型负性厚膜光刻胶，其特征在于，所述流平剂选用FC4430；

所述溶剂选用γ-丁内酯或环戊酮。

3.一种如权利要求1或2所述环氧型负性厚膜光刻胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：按重量百分比将各组分混合，搅拌溶解后，过滤得到所述光刻胶。

4.如权利要求3所述的环氧型负性厚膜光刻胶的制备方法，其特征在于，所述过滤采用孔径为5μm的聚丙烯微孔滤膜。

5.一种如权利要求1或2所述环氧型负性厚膜光刻胶的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：

将光刻胶旋涂在硅片上，依次经过前烘、曝光、后烘、显影。

6.如权利要求5所述的环氧型负性厚膜光刻胶的使用方法，其特征在于，所述前烘的温度为80-110℃，前烘的时间为5-30min；

所述曝光采用的设备为LED 365nm曝光机，曝光能量为100-500mJ；

所述后烘依次包括低温后烘和高温后烘，所述低温后烘的温度为40-75℃，低温后烘的时间为0.5-3min，所述高温后烘的温度为80-110℃，高温后烘的时间为1-5min；

所述显影采用的显影液PGMEA，显影时间为1-5min，显影采用的定影液为IPA。

7.如权利要求6所述的环氧型负性厚膜光刻胶的使用方法，其特征在于，所述前烘的温度为95℃，前烘的时间为10min；

所述曝光采用的曝光能量为200mJ；

所述低温后烘的温度为65℃，低温后烘的时间为1min，所述高温后烘的温度为95℃，高温后烘的时间为2min；

所述显影时间为2min。