[发明专利]一种存储电路瞬态销密控制方法

说明书

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种特别适用于非易失性存储电路中全片数据瞬态擦除的存储电路瞬态销密控制方法。该方法中瞬态销密功能的启用无需特定的外界指令与严苛的时序逻辑，相比于软擦除具有明显的速度优势；瞬态销密功能仅需一个常规高电平脉冲即可开启；瞬态销密电路包含端口下拉电阻和抗干扰电路，具有防误操作机制；瞬态销密电路具有优先控制逻辑，该功能启动时会被优先执行；用于生成硬件片擦信号的瞬态销密脉冲可以与硬擦除信号并行输入，从而实现瞬态销密功能与硬擦除功能相互兼容。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种特别适用于非易失性存储电路中全片数据瞬态擦除的存储电路瞬态销密控制方法。

背景技术

对于常规的非易失性存储器而言，其功能通常可以划分为如下三类：读取、写入与擦除。擦除功能可进一步划分为软擦除与硬擦除。其中，软擦除是指在正常的写入时序条件下，依次在地址端与数据端输入特定的指令序列以启动擦除程序，经电荷泵升压，并选中全片所有的存储单元地址，最终对存储阵列中所有的单元执行数据擦除。硬擦除则是指由外部施加高电压于存储器的使能信号端以启用存储器的高压复用模块，从而在存储器内部生成硬件片擦信号，之后其擦除时序则与软擦除相同。由此可见，软擦除的启动需要由前级电路或芯片产生相应的指令信号并且需要遵循严格的时序关系。硬擦除虽然相对于软擦除在启动程序上进行了简化，但却需要高电压启动存储器内部的高压复用模块以执行全片擦除功能。

显然，以上两种擦除方式均需要严苛的前提条件，这并不满足在某些特殊情况下用户需要利用常规高电压对存储器进行全片快速擦除的需要。因此，这就提出了在非易失性存储器中设计一种由常规高电平启动的瞬态销密控制电路的需求。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明提出一种非易失性存储电路瞬态销密控制方法，以解决如何仅通过常规高电压对非易失性存储器进行全片瞬态擦除的功能，从而解决目前软擦除与硬擦除中存在的技术问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提出一种非易失性存储电路瞬态销密控制方法，该瞬态销密控制方法包括如下步骤：

S1、当非易失性存储器的销密功能启动时，首先开启瞬态销密电压源，瞬态销密电压源产生一个常规高电平电压信号，该信号一路被传输至片内VCC端口用于供电，另一路传输至销密脉冲生成电路；

S2、销密脉冲生成电路接收到该高电平电压信号时，生成一个具有足够脉冲宽度的销密脉冲信号，该销密脉冲信号通过含有用于保证端口闲置时处于零电位的下拉电阻的包括销密使能信号输入端的使能输入电路，被送至抗干扰电路，利用抗干扰电路过滤端口干扰以防止误操作发生；

S3、销密脉冲信号被进一步传送至包括瞬态销密逻辑控制电路的逻辑控制电路，瞬态销密逻辑控制电路中的一路利用优先逻辑产生优先信号使销密功能优先执行，另一路生成硬件片擦信号，并经高压泵电路升压；

S4、优先信号与硬件片擦信号通过译码及升压电路进行译码与升压后，对存储阵列电路进行地址全选，最终执行全片的数据擦除。

进一步地，销密脉冲生成电路包括第一电阻、三极管、第一电容、第二电容、第二电阻、第三电阻和二极管；其中，瞬态销密电压源的一路经过二极管，与片内VCC端口相连，另一路与第一电阻、第二电阻相连；第一电阻的一端和第一电容、三极管的基极相连，另一端和电压源相连；第一电容的一端和第一电阻、三极管的基极相连，另一端和地相连；第二电阻的一端和第二电容、第三电阻、三极管的集电极、销密控制使能端相连，另一端和电压源相连；第三电阻的一端和第二电容、第二电阻、三极管的集电极、销密控制使能端相连，另一端和地相连；第二电容的一端和第二电阻、第三电阻、三极管的集电极、销密控制使能端相连，另一端和地相连。