[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法

说明书

本揭示提供一阵列基板，包括透光区和非透光区，所述阵列基板包括衬底层；第一透明导电层，设置在衬底层上；第一金属层，第一金属层设置于非透光区的第一透明导电层上；缓冲层，缓冲层设置于衬底层上方并覆盖第一透明导电层和第一金属层；以及第二透明导电层，第二透明导电层设置在缓冲层上；其中，透光区的所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间形成电容。

技术领域

本发明涉及阵列基板领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

背景技术

随着主动式矩阵有机发光二极管(Active matrix organic light-emittingdiode，AMOLED)显示面板的分辨率要求不断提高，相应的增大开口率的最佳办法是顶发光有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)器件，与底发光OLED器件不同的是顶发光OLED器件的阳极采用的是反射性电极，而其阴极则为较大透光率的透明阴极，顶发光OLED器件的结构设计可以让开口率大大提高，但目前顶发光OLED器件还处于完善阶段，小尺寸虽然已经实现量产，然而，顶发光OLED器件的阴极透光率和阻抗等问题，以及大尺寸AMOLED显示面板存在明显的电流电阻压降(IR drop)，使得顶发光OLED器件运用在大尺寸显示面板，还没能达到量产水平。

目前量产的大尺寸AMOLED显示面板仍是采用底发光OLED器件，底发光OLED器件设计增加开口率的主要方式是减小阵列基板上非发光区的面积，其中，非发光区的电容区占具一定的面积，电容区都是由不透光的金属材料构成，从而导致透光区减小，并且降低开口率。

因此，如何增加阵列基板的开口率成为了相关研究者或开发人员的重点研究课题。

发明内容

基于以上，为了增大开口率，本发明主要提供一种阵列基板，用于底发光有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)器件，其中，屏蔽层具有一层透明导电层，屏蔽层中的透明导电层同时做为电容区的电极之一，另外，位在非发光区的薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)中的栅极、源极和汲极具有一层透明导电层，此透明导电层同时可以做为电容区的另一个电极。如此，电容区的两个电极皆为为透明导电层，形成透明电容，接着，后续OLED器件的发光区结构可以设计在透明电容上方，因此增大开口率。

为达成上述目的，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括透光区和非透光区，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底层；第一透明导电层，设置在所述衬底层上；第一金属层，所述第一金属层设置于所述非透光区的所述第一透明导电层上；缓冲层，所述缓冲层设置于所述衬底层上方并覆盖所述第一透明导电层和所述第一金属层；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述非透光区的所述缓冲层上，所述氧化物半导体层包括至少两个导体层；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述氧化物半导体层和所述缓冲层上方，所述栅极绝缘层包括至少一个第一开孔对应所述透光区，至少两个第二开孔对应所述非透光区且曝露出所述至少两个导体层；第二透明导电层，所述第二透明导电层设置在所述缓冲层上并且填充所述至少一个第一开孔；以及第二金属层，所述第二金属层设置在所述非透光区的所述第二透明导电层上，且覆盖部份所述导体层，所述第二金属层更包括至少两个开孔对应所述至少两个第二开孔以曝露出所述至少两个导体层，对应所述非透光区的栅极，以及配置于所述栅极两侧的汲极和源极，所述栅极、所述汲极、和所述源极彼此之间由所述至少两个第二开孔间隔开；其中，所述透光区的所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间形成电容。

于一实施例中，所述阵列基板更包括：第一接触孔贯穿所述栅极绝缘层以及所述缓冲层并且对应所述非透光区，所述第二透明导电层通过所述第一接触孔电性连接所述第一金属层并覆盖一部份所述导体层。