[发明专利]竖直石墨烯及其生长方法在审
| 申请号： | 201911171480.7 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110950329A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张锦;许世臣;孙阳勇;高振飞;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 司丽琦;于宝庆 |
| 地址： | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 竖直 石墨 及其 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种竖直石墨烯的生长方法，包括：
提供一基底，所述基底置于反应腔室；
通入碳源并引入竖直方向的电场于所述反应腔室，以在所述基底表面进行气相沉积反应生长竖直石墨烯。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述电场强度不超过3000V/m。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述碳源选自甲醇、乙醇和甲烷中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述气相沉积反应为等离子体增强化学气相沉积反应。
5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述等离子体源的功率为100W～500W。
6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述气相沉积反应的温度为550℃～750℃。
7.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述基底为硅片、铜箔、石英、玻璃或蓝宝石基底。
8.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述气相沉积反应前，对所述反应腔室抽低压，以使所述反应腔室的压力不超过10Pa。
9.一种竖直石墨烯，采用权利要求1～8中任一项所述的方法制备。
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