[发明专利]一种极紫外光刻胶放气污染测试系统有效
申请号: | 201911171642.7 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN110879198B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 谢婉露;吴晓斌;王魁波;罗艳;张罗莎;王宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G01N17/00 | 分类号: | G01N17/00;G01N21/55;G01N33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 光刻 放气 污染 测试 系统 | ||
1.一种极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,其特征在于,该系统包括极紫外光源腔室(1)、光收集腔室(6)、污染样品测试腔室(18),其中:
极紫外光源腔室(1),用于发出辐照光;
光收集腔室(6),用于将极紫外光源腔室(1)发出的辐照光线反射聚焦进入污染样品测试腔室(18)内;
污染样品测试腔室(18),用于在光收集腔室(6)传入的辐照光线的作用下,实现光刻胶受到极紫外光辐照时放气污染特性对系统部件性能影响的测试;所述污染样品测试腔室(18)包括沿光路方向依次设置的快门(12)、滤光片(13)、验证样片(14)、反射镜(15)、运动控制载台(17);所述快门(12)用于控制光刻胶表面的辐照剂量,所述滤光片(13)用于过滤出极紫外光,所述验证样片(14)用于反射所述极紫外光至反射镜(15),继而被反射镜(15)再次反射辐照到涂有光刻胶的硅片(16)上,所述验证样片(14)还用于评估光刻胶污染特性,通过对所述验证样片(14)的表面污染物厚度及成分分析、反射率变化情况分析,评估极紫外光辐照致光刻胶放气污染特性情况;所述运动控制载台(17)用于装载涂有光刻胶的硅片(16);
其中,所述光收集腔室(6)有净化气体进口(9)和净化气体出口(10),净化气体在净化气体进口(9)和净化气体出口(10)之间流动形成与光传播方向相同的气流,用于阻挡污染样品测试腔室(18)内污染物传播至光收集腔室(6)中。
2.根据权利要求1所述的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,其特征在于,所述极紫外光源腔室(1)具有一辐照光源(2),所述辐照光源(2)用于发出辐照光,发出的辐照光依次经过极紫外光源腔室(1)的光路出口和光收集腔室(6)的光路入口进入光收集腔室(6)。
3.根据权利要求1所述的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,其特征在于,该系统在所述极紫外光源腔室(1)与光收集腔室(6)之间还包括一降低碎屑结构(3),所述降低碎屑结构(3)位于第一插板阀(4)的临近极紫外光源腔室(1)一侧,用于阻止极紫外光源腔室(1)产生的碎屑传入光收集腔室(6)及污染样品测试腔室(18)。
4.根据权利要求3所述的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,其特征在于,所述降低碎屑结构(3)是通过气体吹扫的方式阻止极紫外光源腔室(1)产生的碎屑传入光收集腔室(6)及污染样品测试腔室(18)。
5.根据权利要求1所述的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,其特征在于,所述光收集腔室(6)包括反射镜调节载台(7)和反射收集镜(8),反射收集镜(8)安装在反射镜调节载台(7)上。
6.根据权利要求5所述的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,其特征在于,所述反射收集镜(8)用于收集特定立体角内的辐照光,实现反射聚焦的功能,将辐照光反射入污染样品测试腔室(18),同时,所述反射收集镜(8)还用于过滤出13.5nm为中心波长的极紫外光。
7.根据权利要求1所述的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,其特征在于,
该系统在所述极紫外光源腔室(1)与所述光收集腔室(6)之间还包括第一插板阀(4),第一插板阀(4)用于控制极紫外光源腔室(1)与光收集腔室(6)的通断;
该系统在所述光收集腔室(6)与所述污染样品测试腔室(18)之间还包括第二插板阀(11),第二插板阀(11)用于控制光收集腔室(6)与污染样品测试腔室(18)的通断。
8.根据权利要求1所述的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,其特征在于,所述极紫外光源腔室(1)、光收集腔室(6)、污染样品测试腔室(18)均为高真空腔室。
9.根据权利要求1所述的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,其特征在于,所述污染样品测试腔室(18)还包括RGA(48),RGA(48)用于测试光刻胶放气特性。
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