[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201911171930.2 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112951901A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 林鑫成;周政伟 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一衬底；
一栅极结构，于所述衬底上，其中所述栅极结构包括：
一栅极电极，于所述衬底上；以及
一栅极金属层，于所述栅极电极上，其中所述栅极金属层至少具有一缺口，且所述缺口露出下方的所述栅极电极；以及
一漏极结构及一源极结构，于所述栅极结构的两侧，其中所述栅极结构的电位与所述源极结构的电位不同。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缺口朝向所述源极结构的方向。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缺口的两侧的所述栅极金属层为弧形轮廓、矩形轮廓或梯形轮廓。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缺口为矩形、梯形或三角形。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极金属层的宽度随着所述栅极电极的延伸方向呈线性变化。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缺口的两侧的部分所述栅极金属层超出所述栅极电极。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缺口露出所述栅极电极的第一侧且覆盖所述栅极电极的所述第一侧相反的第二侧。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缺口露出所述栅极电极的第一侧且与所述栅极电极的所述第一侧相反的第二侧对齐。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缺口的两侧的所述栅极金属层的长度大于或等于所述栅极金属层的厚度的五倍。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源极结构包括：
一源极电极，于所述衬底上；以及
一源极金属层，于所述源极电极上，且与源极电极电性连接。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述源极金属层往所述漏极结构延伸且超出所述栅极金属层。
12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述源极金属层至少具有一开口。
13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述源极结构还包括另一源极金属层于所述源极金属层上，且所述另一源极金属层与所述源极电极电性连接。
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述另一源极金属层往所述漏极结构延伸且超出所述源极金属层。
15.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述另一源极金属层至少具有一开口。
16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述另一源极金属层的所述开口的宽度小于所述源极金属层的一开口的宽度。
17.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一衬底；
一栅极结构，于所述衬底上，其中所述栅极结构包括：
一栅极电极，于所述衬底上；以及
一栅极金属层，于所述栅极电极上；以及
一漏极结构及一源极结构，于所述栅极结构的两侧，其中在所述栅极电极和所述栅极金属层投影到所述衬底的上视图中，所述栅极金属层为U型形状且与所述栅极电极部分重叠。
18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，还包括一层间介电层，于所述栅极电极上，其中所述层间介电层穿过所述栅极金属层并接触所述栅极电极。
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