[发明专利]一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板

说明书

本发明提供了一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板。其中所述TFT阵列基板，其包括基板。所述基板上依次设置有缓冲层和TFT功能层。其中所述TFT功能层包括依次设置在所述缓冲层上的有源层(Active)、栅极绝缘层(GI)、栅极层(GE)、层间绝缘层(ILD)和源漏极层(SD)。其中所述源漏极层上设置有无机绝缘层，所述无机绝缘层上还依次设置有BITO层、钝化层(PV)和TITO层。本发明提供了一种TFT阵列基板，其采用新型的功能层结构设计，能够有效的降低了所述TFT阵列(Array)基板的生产成本和周期。

技术领域

本发明涉及用于平面显示面板技术领域，尤其是，其中涉及的一种阵列基板、其制备方法及其显示面板。

背景技术

已知，随着显示技术的不断发展，平面显示技术已取代了CRT(Cathode Ray Tube)显示技术成为主流显示技术。

其中液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

特别是，其中的LTPS(Low Temperature Poly-silicon)低温多晶硅显示技术，由于其较的高载流子迁移率可以使晶体管获得更高的开关电流比，在满足要求的充电电流条件下，每个像素晶体管可以更加小尺寸化，增加每个像素透光区，提高面板开口率，改善面板亮点和高分辨率，降低面板功耗，从而获得更好的视觉体验。

然而，由于液晶显示器是一种靠电场来调节液晶分子的排列状态，从而实现光通量调制的被动型显示器件，需要精细的有源驱动矩阵(Array)配合各像素区液晶的偏转状况。

鉴于LTPS低温多晶硅有源矩阵朝着不断缩小特征尺寸方向发展，随之而来的光刻技术进步导致了设备成本以指数增长。因此，确有必要来开发一种新型的TFT阵列基板，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板，其采用新型的功能层结构设计，能够有效的降低了所述TFT阵列(Array)基板的生产成本和周期。

本发明采用的技术方案如下：

一种TFT阵列基板，其包括基板。所述基板上依次设置有缓冲层和TFT功能层。其中所述TFT功能层包括依次设置在所述缓冲层上的有源层(Active)、栅极绝缘层(GI)、栅极层(GE)、层间绝缘层(ILD)和源漏极层(SD)。其中所述源漏极层上设置有无机绝缘层(IL，Insulating layer)，所述无机绝缘层上还依次设置有BITO(Back side Indium TinOxides)层、钝化层(PV)和TITO(Top-Indium Tin Oxides)层。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述源漏极层上方设置的所述BITO层中设置有第一贯穿开槽，所述钝化层会向下填充所述第一贯穿开槽并与所述无机绝缘层表面相接。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一贯穿开槽的宽度小于或是等于设置在其下方的所述源漏极层的宽度。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述无机绝缘层采用的材料包括SiN和/或SiO，具体可随需要而定，并无限定。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述阵列基板为LTPS型阵列基板。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述缓冲层内设置有遮光层。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述有源层采用的材质为低温多晶硅材质(Poly-Si)。

进一步的，本发明的又一方面是提供一种制备本发明涉及的所述阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

步骤S1：在提供的基板上制备遮光层；