[发明专利]一种改善SADP中奇偶效应的工艺方法

权利要求书

1.一种改善SADP中奇偶效应的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、形成叠层结构，该叠层结构从上至下依次为：光刻胶、含硅抗反射层、有机介电质层，无定型硅层，第一氮化硅层、含碳氧化硅层、第二氮化硅层、第一氧化硅层；

步骤二、将所述光刻胶形成光刻胶图形，按照所述光刻胶图形刻蚀第一氮化硅层至所述含碳氧化硅层为止，形成芯轴结构；所述芯轴结构的顶部在刻蚀后形成一层氧化硅；

步骤三、在所述芯轴结构的顶部和侧壁覆盖一层多晶硅，覆盖在所述芯轴结构侧壁的多晶硅形成多晶硅侧墙；

步骤四、采用干法刻蚀的方法去除所述芯轴结构顶部以及侧墙之间的多晶硅至露出该芯轴结构顶部的所述氧化硅以及侧墙之间的含碳氧化硅层为止；

步骤五、采用DHF试剂去除所述芯轴结构顶部的所述氧化硅；

步骤六、去除所述多晶硅侧墙内的所述芯轴结构，并以剩余的所述多晶硅侧墙为掩膜刻蚀所述含碳氧化硅层、第二氮化硅层以及第一氧化硅层形成沟槽。

2.根据权利要求1所述的改善SADP中奇偶效应的工艺方法，其特征在于：步骤三中在所述芯轴结构的顶部和侧壁覆盖一层多晶硅的同时，所述含碳氧化硅层上表面也覆盖了多晶硅。

3.根据权利要求1所述的改善SADP中奇偶效应的工艺方法，其特征在于：步骤六中采用磷酸去除所述多晶硅侧墙内的所述芯轴结构。