[发明专利]一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置

说明书

本申请公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置，用以避免电子传输层受损，提高量子点发光器件制备良率。本申请实施例提供的一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括：量子点层，位于所述量子点层之上的电子传输层，以及位于所述电子传输层之上的阴极；所述电子传输层包括聚合物与半导体材料形成的体相异质结构。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

量子点是一种溶液可加工的半导体纳米晶体，具有发光光谱窄、发光波长可调控、光谱纯度高等优点，最有希望成为下一代发光器件的核心部分。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)就是将量子点作为发光层的制作材料，在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需要波长的光。QLED具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快、寿命长等优点。

针对高分辨率、透明、柔性等显示技术的发展趋势，透明阴极方案为较为匹配的解决方案。但是现有技术中，透明阴极需要以溅射的形式沉积在电子传输层上。电子传输层在溅射过程中容易被破坏，造成浸润式蚀穿或膜的点缺陷，造成漏电。

综上，现有技术QLED制备过程中电子传输层容易受损，造成QLED漏电，影响QLED制备良率。

发明内容

本申请实施例提供了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置，用以避免电子传输层受损，提高量子点发光器件制备良率。

本申请实施例提供的一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括：量子点层，位于所述量子点层之上的电子传输层，以及位于所述电子传输层之上的阴极；所述电子传输层包括聚合物与半导体材料形成的体相异质结构。

本申请实施例提供的量子点发光器件，由于电子传输层包括聚合物与半导体材料形成的体相异质结构，体相异质结构能够对半导体材料进行保护，使得半导体材料的排布更加致密，通过配位作用降低无机半导体纳米粒子表面缺陷态，从而降低半导体材料淬灭发生的概率，避免电子传输层缺陷导致的量子点层发光淬灭，而且在量子点发光器件制备过程中可以避免溅射阴极对电子传输层的破坏，提高量子点发光器件的制备良率，提高量子点发光器件的性能。

可选地，所述聚合物包括刚性基团，和/或，所述聚合物包括下列配位基团之一或其组合：氨基、羟基、羰基。

本申请实施例提供的聚合物包括刚性基团，从而可以保证体相异质结构的稳定性，避免电子传输层在溅射工艺中被破坏。聚合物包括氨基、羟基或羰基等配位基团，从而聚合物可以与半导体材料配位结合。

可选地，所述聚合物包括苯并吡咯烷酮类衍生聚合物。

本申请实施例提供的量子点发光器件，聚合物包括苯并吡咯烷酮类衍生聚合物，苯并吡咯烷酮类衍生聚合物具有可以与半导体材料进行配位的配位基团，使得苯并吡咯烷酮类衍生聚合物与半导体材料混合可以形成稳定的体相异质结构。并且，苯并吡咯烷酮类衍生聚合物包含苯环等刚性基团，从而可以保证与半导体材料形成的体相异质结构的稳定性。

可选地，所述半导体材料为无机半导体材料。

可选地，所述电子传输层的厚度为20纳米～200纳米。

本申请实施例提供的一种量子点发光器件的制备方法，所述方法包括：

在量子点发光层之上形成电子传输层，其中，所述电子传输层包括聚合物与半导体材料形成的体相异质结构；

采用溅射工艺在所述电子传输层之上形成阴极。