[发明专利]栅极的制造方法

权利要求书

1.一种栅极的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有至少两个栅极结构，每个栅极结构从下而上依次包括交叠的多晶硅层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；

在所述衬底上覆盖回刻阻挡层，所述回刻阻挡层覆盖所述栅极结构；

对所述回刻阻挡层进行刻蚀，使所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层暴露；

对所述第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀；

去除所述回刻阻挡层，在所述栅极结构的表面沉积侧墙层，所述侧墙层包括氮化物；

在所述侧墙层表面沉积侧墙保护层；

去除所述栅极结构顶层和所述栅极结构之间的侧墙保护层，所述侧墙保护层为氮化物；

去除所述栅极结构顶层和所述栅极结构之间的侧墙层，以及剩余的侧墙保护层，所述侧墙结构周侧的侧墙层形成侧墙；

去除所述第一硬掩模层和第二硬掩模层；

在所述衬底上形成氧化层，所述氧化层覆盖所述多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀，包括：

通过干法刻蚀工艺对所述第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的反应气体包括：氧气，或者氧气和氢气。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀的时间为5秒至11秒。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述回刻阻挡层包括光阻；

所述对所述回刻阻挡层进行刻蚀，包括：

通过显影液对所述回刻阻挡层进行刻蚀。

6.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述回刻阻挡层包括DUO材料；

所述对所述回刻阻挡层进行刻蚀，包括：

通过化学清洗溶液对所述回刻阻挡层进行刻蚀，所述化学清洗溶液包括H₂O₂、环丁砜以及四甲基氢氧化铵中的至少一种。

7.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述回刻阻挡层包括BARC；

所述对所述回刻阻挡层进行刻蚀，包括：

通过干式灰化工艺对所述回刻阻挡层进行刻蚀。

8.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层包括氮化物。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩模层包括氧化物。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成氧化层之前，还包括：

去除所述多晶硅层；

在所述多晶硅层被去除的区域形成金属层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述金属层和所述衬底之间还形成有高介电常数层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成氧化层之后，还包括：

对所述氧化层进行平坦化处理。