[发明专利]单晶硅小片电池的制备方法

权利要求书

1.一种P型PERC双面电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（A）制备小片硅片，包括如下具体步骤：

1）将单晶硅圆棒切成可制备电池整片的长方体状硅块；该硅块包括：一对相背设置的端面，以及位于该对端面之间的四个侧面；

2）沿垂直于硅块一对端面且平行于硅块四个侧面中一个侧面的方向，将长方体状硅块切割出用于制备小片电池的长方体状小硅块；该小硅块包括一对相背设置的端面，所述小硅块的端面为硅块端面的三分之二；

3）沿平行于小硅块端面的方向，对小硅块进行切片，切割出小片硅片；

（B）将所述小片硅片制备成小片电池，包括如下具体步骤：

制绒，磷扩散，激光掺杂，背面刻蚀抛光和去PSG，热氧化退火，背面沉积叠层钝化膜以及正面沉积SiNx薄膜，背面激光开槽，丝网印刷，烧结，其中通过制绒和背面刻蚀去除小片硅片制备过程中存在的损伤层，通过热氧化退火，背面沉积叠层钝化膜以及正面沉积SiNx薄膜提供介质钝化和H钝化，降低小片电池横断面的少子复合。