[发明专利]一种正向晶格失配三结太阳电池

权利要求书

1.一种正向晶格失配三结太阳电池，其特征在于，包括锗衬底(1)、位于锗衬底(1)上表面的Ga_0.5In_0.5P成核层(2)、位于Ga_0.5In_0.5P成核层(2)上表面的Ga_0.99In_0.01As缓冲层(3)、位于Ga_0.99In_0.01As缓冲层(3)上表面的第一隧道结(4)、位于第一隧道结(4)上表面的(AlGa)_1-xIn_xAs/(AlGa)_1-xIn_xAs DBR层(5)、位于(AlGa)_1-xIn_xAs/(AlGa)_1-xIn_xAs DBR层(5)上表面的Ga_1-xIn_xAs电池(6)、位于Ga_1-xIn_xAs电池(6)上方的(AlGa)_1-yIn_yP电池(9)、位于(AlGa)_1-yIn_yP电池(9)上表面的帽层(10)；在所述Ga_1-xIn_xAs电池(6)和(AlGa)_1-yIn_yP电池(9)之间设置有第二隧道结(7)和张应变晶格渐变缓冲层(8)。

2.根据权利要求1所述的正向晶格失配三结太阳电池，其特征在于，所述第二隧道结(7)位于Ga_1-xIn_xAs电池(6)和张应变晶格渐变缓冲层(8)之间，所述张应变晶格渐变缓冲层(8)位于第二隧道结(7)和(AlGa)_1-yIn_yP电池(9)之间。

3.根据权利要求1所述的正向晶格失配三结太阳电池，其特征在于，所述张应变晶格渐变缓冲层(8)位于Ga_1-xIn_xAs电池(6)和第二隧道结(7)之间，所述第二隧道结(7)位于张应变晶格渐变缓冲层(8)和(AlGa)_1-yIn_yP电池(9)之间。

4.根据权利要求2或3所述的正向晶格失配三结太阳电池，其特征在于，在所述(AlGa)_1-xIn_xAs/(AlGa)_1-xIn_xAs DBR层(5)中，In的组分从0.01渐变到x，其中0.01≤x≤0.5，使用p型掺杂剂，掺杂浓度为1×10¹⁷-1×10¹⁹cm^-3，厚度范围为1000nm-4000nm，周期数的范围为10-30个，每个周期中，(AlGa)_1-xIn_xAs的厚度范围为30nm-300nm。

5.根据权利要求2或3所述的正向晶格失配三结太阳电池，其特征在于，所述Ga_1-xIn_xAs电池(6)包括n型掺杂的Ga_1-yIn_yP发射区和p型掺杂的Ga_1-xIn_xAs基区，其中0.01≤x≤0.5，0.4≤y≤1，掺杂浓度为1×10¹⁶-1×10¹⁹cm^-3，厚度范围为30nm-3000nm。