[发明专利]光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法

说明书

一种光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法，其中所述光学邻近修正方法包括：提供目标布局图形，所述目标布局图形包括多个目标图形区以及通孔图形，所述多个目标图形区沿两个垂直的方向呈矩阵式排列，所述通孔图形横跨至少2个相邻的所述目标图形区，且相邻的所述目标图形区之间具有第一边界线；在所述通孔图形外侧形成通孔边界图形；将所述第一边界线沿部分所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线；对所述通孔图形进行修正，得到通孔修正图形。本发明提供的光学邻近修正方法不需要缝合不同目标图形区中的修正图形，可以减小形成的修正图形的畸变。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩膜图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩膜图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩膜图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，所述的光学邻近校正形成的光刻图形容易发生畸变。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法，能够减小形成的光刻图形的畸变。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标布局图形，所述目标布局图形包括多个目标图形区以及通孔图形，所述多个目标图形区沿两个垂直的方向呈矩阵式排列，所述通孔图形横跨至少2个相邻的所述目标图形区，且相邻的所述目标图形区之间具有第一边界线；在所述通孔图形外侧形成通孔边界图形；将所述第一边界线沿部分所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线；对所述通孔图形进行修正，得到通孔修正图形。

可选的，当所述通孔图形横跨2个相邻的所述目标图形区时，2个相邻的所述目标图形区包括第一图形区和第二图形区，且所述第一图形区和所述第二图形区之间具有第一边界线，修正所述第一边界线的方法包括：将所述第一边界线沿所述第一图形区中的所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线。

可选的，当所述通孔图形横跨2个相邻的所述目标图形区时，2个相邻的所述目标图形区包括第一图形区和第二图形区，且所述第一图形区和所述第二图形区之间具有第一边界线，修正所述第一边界线的方法包括：将所述第一边界线沿所述第二图形区中的所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线。

可选的，当所述通孔图形横跨4个相邻的所述目标图形区时，4个相邻的所述目标图形区呈田字形排列，包括第一图形区、第二图形区、第三图形区以及第四图形区，所述第一边界线包括：所述第一图形区与所述第二图形区之间的第一子边界线，所述第二图形区与所述第三图形区之间的第二子边界线，所述第三图形区和所述第四图形区之间的第三子边界线，以及所述第四图形区和所述第一图形区之间的第四子边界线。