[发明专利]一种NiMnGaCoCu记忆合金薄条带的制备方法有效
申请号: | 201911174551.9 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110846551B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 韦俊 | 申请(专利权)人: | 贵州师范大学 |
主分类号: | C22C30/02 | 分类号: | C22C30/02;C22C1/02;C22F1/00 |
代理公司: | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 周黎亚 |
地址: | 550001 贵州*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nimngacocu 记忆 合金 条带 制备 方法 | ||
1.一种NiMnGaCoCu记忆合金薄条带的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)熔融:选用纯Ni、Mn、Ga、Co、Cu金属原材料置于真空熔炼炉内带有水冷装置铜模具中,抽真空后充入惰性气体,在惰性气体保护下翻转熔炼,搅拌后的均匀合金溶液在水冷铜模具中充分冷却后获得NiMnGaCoCu合金锭;
2)第一次热处理;
3)快淬:将热处理后的NiMnGaCoCu合金锭在10m/s-30m/s转速的熔炼甩带炉中熔体快淬,制成合金薄条带;
4)第二次热处理,获得NiMnGaCoCu记忆合金薄条带;
所述步骤4)中第二次热处理是将步骤3)所得的合金薄条带装入石英管,将装有合金薄条带的石英管管内抽真空,然后封闭,保持合金薄条带处于石英管内真空环境,然后将此石英管放入热处理炉,以5-10℃/min的速率升温至885-905℃,保温处理30min,再以5-10℃/min的速率降温至室温;
在步骤4)中所述NiMnGaCoCu记忆合金薄条带中原子个数百分比为Ni:Mn:Ga:Co:Cu=x:y:z:s:t,其中x为44-49,y为22-27,z为20-26,s为1-5,t为1-5。
2.如权利要求1所述NiMnGaCoCu记忆合金薄条带的制备方法,其特征在于,在步骤1)中所述翻转熔炼的次数为3-5次。
3.如权利要求1所述NiMnGaCoCu记忆合金薄条带的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中第一次热处理是将步骤1)所得的NiMnGaCoCu合金锭装入石英管,将装有合金锭的石英管管内抽真空,然后封闭,保持合金锭处于石英管内真空环境,然后将此石英管放入热处理炉,以5-10℃/min的速率升温至885-905℃,保温处理24h,再以5-10℃/min的速率降温至室温。
4.如权利要求1所述NiMnGaCoCu记忆合金薄条带的制备方法,其特征在于,在步骤3)中所述快淬是将合金放入熔炼甩带炉配套的直径10mm的石英管内,抽真空后通入惰性气体,通过高频感应铜圈加热使得NiMnGaCoCu合金锭熔化,将熔融的合金通过石英管底部直径为0.8-1.2mm的小孔喷到高速旋转的铜辊上,从而获得合金薄条带。
5.如权利要求4所述NiMnGaCoCu记忆合金薄条带的制备方法,其特征在于,所述高频感应铜圈加热工作参数:真空环境0.01pa以下,加热温度至1200℃。
6.如权利要求1所述NiMnGaCoCu记忆合金薄条带的制备方法,其特征在于,在步骤4)中所述NiMnGaCoCu记忆合金薄条带中原子个数百分比为Ni:Mn:Ga:Co:Cu=45:24:23:4:4。
7.如权利要求1所述NiMnGaCoCu记忆合金薄条带的制备方法,其特征在于,在步骤4)中所述NiMnGaCoCu记忆合金薄条带中原子个数百分比为Ni:Mn:Ga:Co:Cu=46:(28-t):22:4:t,t为1-5。
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