[发明专利]一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法

说明书

本发明公开了一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法，包括，步骤一：将密封容器内部物质完全抽取，使得密封容器内部处于超高真空状态，步骤二：将密封容器内部放置过渡金属基底，步骤三：将碳氢化合物输送至到密封容器中，使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面，步骤四：接着对密封容器加热，加热温度为30‑180℃，步骤五：密制容易加热过程中，容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯；本发明可有效的提高了石墨烯的制备效率，通过金属催化使得石墨烯可在密封容器内持续、均匀、大面积的生长，极大的减少了特征环境的需求，降低了制备时的繁琐、步骤，同时可通过通过化学腐蚀去掉金属基底，节省了人力物力。

技术领域

本发明属于石墨烯技术领域，具体涉及一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法。

背景技术

石墨烯是一种由碳原子以sp²杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景，被认为是一种未来革命性的材料。

现有的石墨烯在制备时较为复杂繁琐，需要较多的繁琐步骤，且需要较为独特的制作环境，才可制备出，且制备的石墨烯面积较小，且不够均匀，难以整体收集使用，给工作员、研发人员增加了工作难度，浪费了人力物力，极大的增加了经济成本的问题，为此我们提出一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法，以解决上述背景技术中提出的现有的石墨烯在制备时较为复杂繁琐，需要较多的繁琐步骤，且需要较为独特的制作环境，才可制备出，且制备的石墨烯面积较小，且不够均匀，难以整体收集使用等问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法，包括，

步骤一：将密封容器内部物质完全抽取，使得密封容器内部处于超高真空状态；

步骤二：将密封容器内部放置过渡金属基底；

步骤三：将碳氢化合物输送至到密封容器中，使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面；

步骤四：接着对密封容器加热，加热温度为30-180℃；

步骤五：密制容易加热过程中，容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯；

步骤六：将容器打开，将长满于石墨烯的金属基底上取出；

步骤七：通过化学腐蚀去掉金属基底，得到石墨烯。

进一步的，所述密封容器通过超高真空泵处于超高真空状态。

进一步的，所述步骤二中过渡金属为：Pt、Ir、Ru、Cu。

进一步的，所述步骤四中加热温度为50-160℃。

进一步的，所述化学腐蚀为原油脱盐脱水、加缓蚀剂、加中和剂。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明可有效的提高了石墨烯的制备效率，通过金属催化使得石墨烯可在密封容器内持续、均匀、大面积的生长，极大的减少了特征环境的需求，降低了制备时的繁琐、步骤，同时可通过通过化学腐蚀去掉金属基底，使得石墨烯还具备易于转移的特点，节省了人力物力，降低了经济成本和工作难度，提高制备效率。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式