[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成介电层；

在所述介电层上形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层和介电层中形成露出所述基底的导电通孔；

在所述导电通孔和所述刻蚀阻挡层上形成导电材料层；

以所述刻蚀阻挡层作为停止层，对所述导电材料层进行第一平坦化处理；

在对所述导电材料层进行第一平坦化处理之后，采用干法刻蚀工艺，去除所述刻蚀阻挡层；

去除所述刻蚀阻挡层后，去除高于所述介电层的导电材料层，位于导电通孔内的剩余导电材料层作为导电插塞；

在所述介电层和导电插塞上形成电极层；

在所述电极层上形成磁性隧道结的叠层结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述导电通孔之后，形成所述导电材料层之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述导电通孔的底部和侧壁、以及所述刻蚀阻挡层上形成扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层上形成填充所述导电通孔的导电材料层；

以所述刻蚀阻挡层作为停止层，对所述扩散阻挡层和导电材料层进行第一平坦化处理；

去除所述刻蚀阻挡层后，去除高于所述介电层的扩散阻挡层和导电材料层。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述介电层上形成所述刻蚀阻挡层后，在形成所述导电通孔之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述刻蚀阻挡层上形成牺牲层；

形成所述导电通孔的步骤中，所述导电通孔还贯穿所述牺牲层；

以所述刻蚀阻挡层作为停止层，对所述导电材料层和牺牲层进行第一平坦化处理，所述第一平坦化处理对所述牺牲层的去除速率大于对刻蚀阻挡层的去除速率。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一平坦化处理的步骤中，所述牺牲层和刻蚀阻挡层的去除选择比为2：1至3：2。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤中，所述牺牲层的厚度是所述刻蚀阻挡层的厚度的二分之一至三分之二。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀阻挡层的步骤中，所述刻蚀阻挡层的厚度为20nm至30nm。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺，对所述导电材料层进行第一平坦化处理。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括氮化硅。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述导电材料层进行第二平坦化处理，去除高于所述介电层的导电材料层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺，对所述导电材料层进行第二平坦化处理。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述刻蚀阻挡层和介电层，形成所述导电通孔。