[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、像素电路及显示面板

说明书

本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、像素电路及显示面板。所述薄膜晶体管包括衬底、有源层、栅电极、源电极与漏电极。所述有源层形成于所述衬底上，所述有源层包括第一氧化物半导体层及位于所述第一氧化物半导体层侧部的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述第一氧化物半导体层接触，所述第二氧化物半导体层用于向所述第一氧化物半导体层提供氧，使第一氧化物半导体层的氧含量提高。所述栅电极、所述源电极与所述漏电极形成于所述衬底上，所述栅电极与所述有源层互相绝缘，所述源电极及所述漏电极分别与所述有源层电连接。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、像素电路及显示面板。

背景技术

近年来，基于OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)的显示装置因具有自发光、视角广、发光效率高、色域广、工作电压低、面板薄等优点，成为国内外热门的显示产品。

OLED显示装置的驱动方式一般为主动驱动，即显示装置的像素由像素电路驱动。一般像素电路中的开关晶体管采用氧化物半导体晶体管。但是氧化物半导体晶体管的有源层为氧化物半导体材料，氧化物半导体材料耐热性能差，在高温时有源层中的氧容易逸出，导致氧化物半导体晶体管的阈值电压漂移，进而导致显示装置失效，或者显示不正常。

发明内容

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

衬底；

形成于所述衬底上的有源层，所述有源层包括第一氧化物半导体层及位于所述第一氧化物半导体层侧部的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述第一氧化物半导体层接触，所述第二氧化物半导体层用于向所述第一氧化物半导体层提供氧，使第一氧化物半导体层的氧含量提高；

形成于所述衬底上的栅电极、源电极与漏电极，所述栅电极与所述有源层互相绝缘，所述源电极及所述漏电极分别与所述有源层电连接。

在一个实施例中，所述第二氧化物半导体层的数量为至少两个，至少两个所述第二氧化物半导体层在所述第一氧化物半导体层的周侧间隔排布。

在一个实施例中，所述第一氧化物半导体层的侧部设有台阶结构，所述第二氧化物半导体层的侧部设有与所述台阶结构配合的抵接部，所述抵接部与所述台阶结构抵接。

在一个实施例中，所述第一氧化物半导体层靠近所述衬底的部分的侧壁，向背离所述第二氧化物半导体层的方向凹陷形成所述台阶结构，或者，所述第一氧化物半导体层背离所述衬底的部分的侧壁，向背离所述第二氧化物半导体层的方向凹陷形成所述台阶结构。

在一个实施例中，所述台阶结构包括至少两个台阶部；

所述第一氧化物半导体层背离所述衬底的部分的侧壁向背离所述第二氧化物半导体层的方向凹陷形成所述台阶结构，沿靠近所述衬底的方向，至少两个所述台阶部的侧壁依次向外凸出；或者，所述第一氧化物半导体层靠近所述衬底的部分的侧壁向背离所述第二氧化物半导体层的方向凹陷形成所述台阶结构，沿背离所述衬底的方向，至少两个所述台阶部的侧壁依次向外凸出。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种像素电路，所述像素电路用于驱动像素，所述像素电路包括上述的薄膜晶体管。

根据本申请实施例的第三方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的像素电路。

根据本申请实施例的第四方面，提供了一种薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成有源层，所述有源层包括第一氧化物半导体层及位于所述第一氧化物半导体层侧部的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述第一氧化物半导体层接触，且所述第二氧化物半导体层的氧含量大于所述第一氧化物半导体层的氧含量。