[发明专利]一种像素电极结构及液晶显示面板在审
申请号: | 201911175624.6 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110928067A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 张银峰;林永伦 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 电极 结构 液晶显示 面板 | ||
本揭示提供一种像素电极结构以及液晶显示面板。所述像素电极结构包括第一像素电极以及第二像素电极。其中,所述第一像素电极包括多个第一分支电极,所述第二像素电极包括多个第二分支电极,每一所述第一分支电极和一个所述第二分支电极对应设置。其中,每一所述第一分支电极末端与对应的所述第二分支电极末端之间具有一间隔,所述间隔与相邻的另一所述间隔交错设置。以减少第一像素电极和第二像素电极交界处的暗纹。
技术领域
本揭示涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素电极结构以及液晶显示面板。
背景技术
随着高规显示器的逐步推广,各大面板厂商争相布局高解析低色偏等关键显示技术。而面板的开口率和穿透率是高解析低色偏的主要制约因素。现有一种有效提升开口率的像素设计已经被提出,但穿透率并未随着开口率的大幅提升而显著增加。如图1所示的像素电极800,包括第一像素电极81和第二像素电极82,第二像素电极82围绕第一像素电极81。此种像素电极结构设计,有效提升了开口率,但在第一像素电极81与第二像素电极82的交界处存在大量暗纹,抑制了穿透率的提升。
因此,现有像素电极结构交界处存在暗纹的问题需要解决。
发明内容
本揭示提供一种像素电极结构及液晶显示面板,以缓解现有像素电极结构交界处存在暗纹的技术问题。
为解决上述问题,本揭示提供的技术方案如下:
本揭示实施例提供一种像素电极结构,其包括第一像素电极以及第二像素电极。其中,所述第一像素电极包括多个第一分支电极,所述第二像素电极包括多个第二分支电极,每一所述第一分支电极和一个所述第二分支电极对应设置。其中,每一所述第一分支电极末端与对应的所述第二分支电极末端之间具有一间隔,所述间隔和相邻的另一所述间隔交错设置。
在本揭示实施例提供的像素电极结构中,所述第一分支电极与相邻的另一所述第一分支电极的长度不同。
在本揭示实施例提供的像素电极结构中,所述第一分支电极与所述第二分支电极平行设置。
在本揭示实施例提供的像素电极结构中,所述第一分支电极和所述第二分支电极的所述末端呈三角形。
在本揭示实施例提供的像素电极结构中,所述第一分支电极和所述第二分支电极的所述末端呈矩形。
在本揭示实施例提供的像素电极结构中,所述第一像素电极区分为四个象限区。
在本揭示实施例提供的像素电极结构中,所述第二像素电极区分为四个区域且所述四个区域与所述第一像素电极的四个象限区对应设置。
在本揭示实施例提供的像素电极结构中,所述第一像素电极还包括第一主干电极,所述第一分支电极连接所述第一主干电极。
在本揭示实施例提供的像素电极结构中,所述第二像素电极还包括第二主干电极,所述第二分支电极连接所述第二主干电极。
本揭示实施例还提供一种液晶显示面板,其包括第一基板、第二基板、公共电极结构、像素电极结构以及多个液晶分子。所述第二基板与所述第一基板相对设置。所述公共电极结构设置于所述第一基板面向所述第二基板的一侧。所述像素电极结构设置于所述第二基板面向所述第一基板的一侧。所述多个液晶分子填充于所述公共电极结构与所述像素电极结构之间。其中,所述像素电极结构包括本揭示前述实施例其中之一提供的像素电极结构。
本揭示的有益效果为:本揭示提供的一种像素电极结构以及液晶显示面板中,每一所述第一分支电极末端与对应的所述第二分支电极末端之间具有一间隔,所述间隔和相邻的另一所述间隔交错设置。从而使所述第一像素电极和所述第二像素电极的交界处形成交叉电场,覆盖第一像素电极和第二像素电极的交界处,有效控制交界处液晶分子的倒伏,减少交界处形成的暗纹,以提高穿透率。
附图说明
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