[发明专利]测试标记及利用该测试标记的光刻机离焦量测量方法有效

专利信息
申请号: 201911175714.5 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN112859556B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 朱晓亮;刘泽华 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 王宏婧
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 测试 标记 利用 光刻 机离焦量 测量方法
【权利要求书】:

1.一种测试标记,其包括密集线条,所述密集线条之间为透光区,所述测试标记形成在光刻机系统的掩膜上,其特征在于:

所述测试标记还包括测试区域,所述密集线条沿预定方向延伸,所述密集线条中的一条作为测试线条,所述测试区域包括所述测试线条和位于所述测试线条两侧的透光区,所述测试区域沿所述预定方向分为第一区域和第二区域;

所述第一区域的透光区和/或所述第二区域的透光区设置有沿所述预定方向的相移线条,由所述第一区域曝光的图案测得第一关键尺寸,所述第一关键尺寸为:所述第一区域内,所述测试线条的曝光图形的条宽与所述测试线条曝光图形与其邻近的一密集线条曝光图形的间距之和;由所述第二区域曝光的图案测得第二关键尺寸,所述第二关键尺寸为:所述第二区域内,所述测试线条的曝光图形的条宽与所述测试线条曝光图形与其邻近的一密集线条曝光图形的间距之和;所述相移线条使所述第一关键尺寸和所述第二关键尺寸具有差值;

其中,所述相移线条的材质包括:金属铬、铬化合物、金属硅化物材料,以及Al、Ti、Ni或其化合物中的任意一种。

2.如权利要求1所述的测试标记,其特征在于,

所述相移线条设置在所述第一区域的所述测试线条两侧的透光区;

一个透光区中的所述相移线条位于靠近所述测试线条的一侧,另一个透光区中的所述相移线条位于远离所述测试线条的一侧;

所述第二区域的透光区中不设置所述相移线条。

3.如权利要求1所述的测试标记,其特征在于,

所述相移线条设置在所述第一区域的透光区和所述第二区域的透光区中;所述测试区域中,置于所述测试线条两侧的透光区分别定义为第一透光区和第二透光区。

4.如权利要求3所述的测试标记,其特征在于,

在所述第一区域,所述第一透光区中的所述相移线条位于靠近所述测试线条的一侧,所述第二透光区中的所述相移线条位于远离所述测试线条的一侧;

在所述第二区域,所述第一透光区中的所述相移线条位于远离所述测试线条的一侧,所述第二透光区中的所述相移线条位于靠近所述测试线条的一侧。

5.一种测试标记,其包括密集线条,所述密集线条之间为透光区,所述测试标记形成在光刻机系统的掩膜上,其特征在于,

所述测试标记还包括测试区域,所述密集线条沿预定方向延伸,所述密集线条中的一条作为测试线条,所述测试区域包括所述测试线条和位于所述测试线条两侧的透光区,所述测试区域沿所述预定方向分为第一区域和第二区域;

相移线条设置在所述第一区域的透光区和所述第二区域的透光区中;所述测试区域中,置于所述测试线条两侧的透光区分别定义为第一透光区和第二透光区;

在所述第一区域,所述第一透光区和所述第二透光区中的所述相移线条均位于靠近所述测试线条的一侧;在所述第二区域,所述第一透光区和所述第二透光区中的所述相移线条均位于远离所述测试线条的一侧;

所述相移线条使所述第一区域内所述测试线条的曝光图形的条宽和所述第二区域内所述测试线条的曝光图形的条宽具有差值;

其中,所述相移线条的材质包括:金属铬、铬化合物、金属硅化物材料,以及Al、Ti、Ni或其化合物中的任意一种。

6.如权利要求1-4任意一项所述的测试标记,其特征在于,所述第一区域和所述第二区域沿所述预定方向的长度相同。

7.如权利要求1-4任意一项所述的测试标记,其特征在于,所述密集线条形成在掩膜基板表面,所述掩膜基板对应所述测试线条两侧的透光区的部分形成有凹槽,所述相移线条设置在所述凹槽中。

8.如权利要求1-4任意一项所述的测试标记,其特征在于,所述密集线条中间的一条作为测试线条。

9.如权利要求1-4任意一项所述的测试标记,其特征在于,所述测试标记分布在所述掩膜上的孤立线周围,所述测试标记为多个,相邻的所述测试标记之间的距离与掩膜上对应测量图形线宽的比值范围为80:1~120:1。

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