[发明专利]一种三光栅级联结构及基于三光栅级联结构的超宽带吸收器有效
| 申请号： | 201911175771.3 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110927840B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 赵洪霞;丁志群;程培红 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B5/18 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊;王玲华 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光栅 级联 结构 基于 宽带 吸收 | ||
1.一种三光栅级联结构，其特征在于，由三光栅级联单元构成，三光栅级联单元从左到右依次包括金属钨块、二氧化硅介质和条形金属钨；所述的金属钨块、二氧化硅介质和条形金属钨的宽度比为3:（1.8-2.5）：（1.5-2.2）；所述的金属钨块、二氧化硅介质和条形金属钨的高度比为3:（7-10）：（5-8）；
所述的三光栅级联单元的周期为金属钨块、二氧化硅介质和条形金属钨的宽度总和，总和为900-1120纳米；
所述的金属钨块的宽度为400-500纳米，高度为100-150纳米；所述的二氧化硅介质宽度为300-320纳米，高度为400-450纳米；条形金属钨的宽度为200-300纳米，高度为300-350纳米。
2.一种基于权利要求1所述的三光栅级联结构的超宽带吸收器，其特征在于，所述吸收器包括：
基底层；
铬膜层，其形成于基底层表面；和
氮化硅层，其形成于铬膜层上；和
石墨烯层，其形成于氮化硅层上；和
三光栅级联结构层，其形成于石墨烯层上。
3.根据权利要求2所述的超宽带吸收器，其特征在于，所述基底层为硅或二氧化硅，所述基底层的厚度为0.1-5毫米。
4.根据权利要求2所述的超宽带吸收器，其特征在于，所述铬膜层的厚度为100-120纳米。
5.根据权利要求2所述的超宽带吸收器，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为100-500纳米。
6.根据权利要求2所述的超宽带吸收器，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为30-100纳米。
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