[发明专利]荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置

权利要求书

1.一种荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷至少包括：

基质；

分布于所述基质内的发光中心、第一散射单元以及第二散射单元；

所述第一散射单元的折射率大于所述发光中心的折射率；

所述第二散射单元的折射率小于所述发光中心的折射率；

所述发光中心为镧系元素掺杂的YAG荧光粉颗粒；

所述基质的材料为氧化铝。

2.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，

所述第一散射单元为第一散射颗粒；

所述第一散射颗粒占所述荧光陶瓷总质量的0.1%～1%；

所述第一散射颗粒为二氧化钛、氧化锆或氧化钇中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，

所述第二散射单元为气孔或第二散射颗粒中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的荧光陶瓷，其特征在于，

所述气孔的折射率为1，所述气孔的粒径为0.2μm～2μm，所述气孔占所述荧光陶瓷的体积分数为0.01%～10%。

5.根据权利要求3所述的荧光陶瓷，其特征在于，

所述第二散射颗粒占所述荧光陶瓷总质量的0.1%～1%；

所述第二散射颗粒为氟化钙或氟化镁中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷还包括：

分布于所述基质内的折射率介于所述第一散射单元与所述第二散射单元之间的第三折射率单元。

7.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，

所述发光中心为粒径5μm～30μm的镧系元素掺杂的YAG荧光粉颗粒，掺杂量为1%～5%，所述镧系元素掺杂的YAG荧光粉颗粒占所述荧光陶瓷总质量的40%～50%；

所述基质的材料为粒径0.05μm～1μm的氧化铝，所述氧化铝占所述荧光陶瓷总质量的40%～60%。

8.根据权利要求7所述的荧光陶瓷，其特征在于，

所述镧系元素掺杂的YAG荧光粉颗粒为Ce或Lu掺杂的YAG荧光粉颗粒。

9.一种荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

按照预定比例配制荧光陶瓷的基质材料、散射材料以及荧光粉颗粒，其中，所述散射材料至少包括造孔剂以及第一散射颗粒、第二散射颗粒；

将所述基质材料以及所述散射材料在第一溶剂中混合球磨，得到第一球磨浆料；

将所述荧光粉颗粒在第二溶剂中混合球磨，得到第二球磨浆料；

分别对第一球磨浆料和第二球磨浆料进行干燥，干燥后进行研磨过筛得到第一粉体和第二粉体；

混合第一粉体和第二粉体，对混合后的粉体进行压制，得到预成型件；

将所述预成型件进行高温排胶处理，得到素坯；

将所述素坯进行冷等静压处理；

对冷等静压处理后的所述素坯进行高温烧结处理，抛光后，得到如权利要求1-8任一项所述的荧光陶瓷。

10.一种发光装置，其特征在于，包括激发光源和权利要求1～8任一项所述的荧光陶瓷，所述激发光源为入射激光光源。

11.一种投影装置，其特征在于，包括权利要求10所述的发光装置。